Способ создания сверхпроводящих областей в материале на основе металлоксидных соединений
Авторы патента:
Использование: при изготовлении устройств для сверхпроводниковой электроники. Сущность изобретения:исходный материал LiNbO3 легируют одновременно одним из двухвалентных элементов Mg или Zn и одним из элементов группы железа Cr или Fe, при этом Mg с Cr используют в концентрациях 4 < Mg < 15 мол.% и 0,01 < Cr < 2,5 мол.%, Mg c Fe используют в концентрациях 6 < 15 мол.% и 0,01 < Fe < 2,5 мол.%, Zn c Cr или Fe используют в концентрациях 7 < Zn < 15 мол.% и 0,01 < Cr, Fe < 2,5 мол.%.
Изобретение касается высокотемпературной сверхпроводимости, физики сегнетоэлектриков и может быть использовано при изготовлении устройств для сверхпроводниковой электроники.
Изобретение решает задачу регистрации высокочастотного радиоизлучения и измерения слабых магнитных полей геомагнитного диапазона. Ниобат лития (LiNbO3) относится к непроводящим металлоксидным сегнетоэлектрикам со структурой перовскита и находит широкое применение в нелинейной и интегральной оптике и акустооптике. Известен способ получения сверхпроводимости в этом материале путем существенного изменения соотношения входящих в него компонент по работе: Geselbracht M.J. et al. Superconductiviti in the layered compound LixNbO2//Nature, 1990, vol. 345, N. 6273, p.p. 324 326. Таким способом в соединении Li0.45NbO2 была получена критическая температура Тс




Формула изобретения
Способ создания сверхпроводящих областей в материале на основе металлоксидных соединений, включающий легирование исходного материала, отличающийся тем, что в качестве исходного материала используют LiNbO3, легирование производят одновременно одним из двухвалентных элементов Mg или Zn и одним из элементов группы железа Cr или Fe, при этом Mg с Cr используют в концентрациях 4 < CMg < 15 моль% и 0,01 < Ccr < 2,5 моль% Mg с Fe используют в концентрациях 6 < CMg < 15 моль% и 0,01 < CFe < 2,5 моль% Zn с Cr или Fe используют в концентрациях 7 < CZn < 15 моль% и 0,01 < CCr, CFe < 2,5 моль%
Похожие патенты:
Изобретение относится к области электроники, в частности к технологии микроэлектроники, и может быть использовано при разработке технологических процессов изготовления сверхпроводящих микроэлектронных приборов
Изобретение относится к новым висмутостронцийкальциймедьоксидным композициям, которые обладают свойствами сверхпроводимости, и к способам их приготовления
Изобретение относится к криогенной радиотехнике, микроэлектронике, может быть использовано при изготовлении электронных приборов, работа которых основана на сверхпроводимости и эффекте Джозефсона
Изобретение относится к способу изготовления текстурированных тонких сверхпроводящих пленок YBa2Cu3O7- без переходного слоя на границе с подложкой из Y2Ba2,32 Cu1,68O7 и может быть использовано к микроэлектронике
Изобретение относится к способам обработки высокотемпературной сверхпроводящей (ВТСП) керамики и может быть использовано при изготовлении крупногабаритных изделий сложной формы, например, деталей типа "магнитный экран"
Изобретение относится к способам получения сверхпроводящего материала системы Bi-Sr-Ca-Cu(Li)-0 и может быть использовано в радиоэлектронной технике и энергетике при изготовлении керамических материалов с высокой температурой перехода в сверхпроводящее состояние
Изобретение относится к криогенной радиотехнике, микроэлектронике, в частности, может быть использовано при изготовлении электронных приборов, работа которых основана на сверхпроводимости или эффекте Джозефсона
Изобретение относится к области сверхпроводимости и может быть использовано при изготовлении крупногабаритных изделий сложной формы, в частности экранов для защиты радиоэлектронных приборов, микроэлектронных устройств от внешнего электромагнитного излучения
Изобретение относится к способам получения сверхпроводников, в частности текстурированных образцов высокотемпера- турных сверхпроводников, и может быть использовано в сверхпроводниковой электротехнике и энергетике для создания токонесущих элементов, переключателей, ограничителей тока
Изобретение относится к криогенной микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении электронных приборов и устройств, работа которых основана на сверхпроводимости и эффекте Джозефсона, с рабочей температурой вблизи температуры кипения жидкого азота и характеристиками, неуступающими характеристикам аналогов, работающих при температуре 4,2 K
Изобретение относится к криогенной микроэлектронике и может быть использовано для изготовления электронных приборов и устройств, работающих в сверхвысокочастотном диапазоне частот, с уровнем собственных шумов, приближающимся к квантовому порогу, работа которых основана на явлении высокотемпературной сверхпроводимости и эффекте Джозефсона, с рабочей температурой вблизи температуры кипения жидкого азота и характеристиками, неуступающими характеристикам аналогов, работающих при температуре 4,2 К
Изобретение относится к области измерительной техники, а точнее к способам измерения параметров сверхпроводящих материалов, в частности силы пиннинга
Изобретение относится к области получения сверхпроводников, сверхпроводящих композиций и проводников на их основе
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при производстве интегральных схем и гибридных интегральных схемах для изготовления сверхпроводящих квантовых интерференционных детекторов и других высокотемпературных сверхпроводящих толстопленочных элементов
Изобретение относится к технологии получения монокристаллов сверхпроводниковых соединений для производства устройств сверхпроводниковой электроники
Изобретение относится к сверхпроводниковой технике, в частности к формированию структуры типа SIS