Способ изготовления полупроводникового элемента запальной свечи
Сущность изобретения: при изготовлении полупроводникового элемента запальной свечи на его рабочую поверхность наносят состав, содержащий медь и окись хрома, при этом полупроводниковый элемент выполняют из окиси хрома и окиси висмута при следующем соотношении компонентов, мас.%: Cr2O3 99,0-99,1; Bi2O3 1,0 -0,1 обжиг его производят при температуре 16400...1660C, цикл обжига 8 ч, а сжигание состава, содержащего медь и окись хрома, нанесенного на рабочую поверхность полупроводникового элемента, производят при температуре 1180....1200
C в течение 10...20 мин. 2 табл.
Изобретение относится к технологии изготовления свечей поверхностного разряда, применяемых в системах зажигания для газотурбинных двигателей (ГТД).
Известен способ изготовления полупроводникового элемента для запальной свечи [1] из шихты, включающей окись хрома, двуокись циркония, окись алюминия, окись кальция и двуокись кремния при следующем соотношении компонентов, мас. Cr2O3 94 ZrO2 1 Al2O3 0,74 CaO 1,16 SiO2 3,10, заключающийся в том, что подготовку компонентов шихты и формование полупроводникового элемента производят по общепринятой в керамическом производстве технологии, обжиг элемента осуществляют в электрической печи при температуре 1640
Bi2O3 1,0 0,1,
обжиг его производят при 1640.1660oC, цикл обжига 8 ч, а вжигание состава, содержащего медь и окись хрома, нанесенного на рабочую поверхность полупроводникового элемента, производят при температуре 1180.1200oC в течение 10.20 мин. Именно сочетание полупроводникового элемента, выполненного из шихты состава, мас. Cr2O3 99,0 99,9
Bi2O3 1,0 0,1,
обожженного при температуре 1640.1660oC в течение 8 ч, с полупроводниковым покрытием, состоящим из смеси порошков меди и окиси хрома, нанесенным на рабочий торец полупроводникового элемента и вожженным при 1180.1200oC в течение 10.20 мин, позволяет повысить ресурс и термостойкость свечи. Именно предлагаемый режим синтеза полупроводникового элемента позволяет получить необходимые свойства. При понижении температуры синтеза и сокращения циклов обжига не удается получить необходимой степени спекания. При повышении температуры синтеза выше указанных пределов и увеличении продолжительности обжига получается полупроводниковый элемент с конечным значением омического сопротивления R(.) в объеме (порядка 5000 10000 кОм), что приводит к "объемным утечкам", а при вжигании покрытия при более высокой температуре происходит обеднение рабочего поверхностного слоя покрытия за счет значительной диффузии материала покрытия вглубь полупроводникового элемента, что приводит к снижению ресурса. Ниже приведен пример реализации способа изготовления полупроводникового элемента запальной свечи. 1. Из компонентов, согласно рецептам, приведенным в табл.1, по общеизвестной технологии формуются полупроводниковые элементы. 2. Обжиг полупроводникового элемента производится в электрической печи при температуре 1650

Bi2O3 1,0 0,1,
обожженного при 1640.1660oC в течение 8 ч, с полупроводниковым покрытием, состоящим из смеси порошков меди и окиси хрома, нанесенным на рабочий торец полупроводникового элемента и вожженным при 1180.1200oC в течение 10. 20 мин, позволяет повысить ресурс свечи в 1,5 2 раза и ее термостойкость на 200oC.
Формула изобретения
Bi2O3 1,0 0,1
а на рабочую поверхность полупроводникового элемента при температуре 1180-1200oC в течение 10-20 мин вжигают состав, содержащий медь и окись хрома.
РИСУНКИ
Рисунок 1
Похожие патенты:
Разрядник низкого давления // 1788547
Устройство для сборки свечи зажигания // 957327
Ан библиотека // 296636
Изобретение относится к машиностроению, а именно к двигателям внутреннего сгорания с искровым зажиганием и более точно к способам, устройствам и составам для улучшения искрообразования в свечах зажигания
Изобретение относится к электротехнике, в частности к изготовлению свечей зажигания двигателей внутреннего сгорания
Изобретение относится к машиностроению и может быть использовано в двигателях внутреннего сгорания
Изобретение относится к электротехнике, в частности к изготовлению свечей зажигания двигателей внутреннего сгорания
Изобретение относится к способам обработки давлением и диффузионной сварки биметаллических изделий
Изобретение относится к обработке давлением биметаллических изделий. Способ изготовления биметаллического центрального электрода искровой свечи зажигания двигателя внутреннего сгорания заключается в холодном прямом выдавливании биметаллической цилиндрической заготовки с поперечной или продольно-поперечной слоистостью через одноканальную матрицу круглого поперечного сечения, при этом применяют плоскоконическую матрицу. Угол при вершине конуса матрицы может составлять 80…120°. Диаметр конуса матрицы может составлять 0,7…0,9 от диаметра контейнера. Коэффициент вытяжки может составлять 4…9. Технический результат - получение биметаллических центральных электродов, имеющих равномерную толщину боковой оболочки в продольном и поперечном сечениях электрода на большей его длине, что повышает стабильность тепловой характеристики свечи зажигания и обеспечивает бесперебойность искрообразования. 3 з.п. ф-лы, 6 ил., 2 табл.