Способ получения слоев гидроксидов металлов
Изобретение относится к способу получения слоев гидроксидов металлов. Обработку подложки ведут раствором соли металла и щелочью, раздельно, последовательно и многократно с удалением после каждой из обработок избытка реагента промывкой, причем соль металла выбирают из числа солей этого металла с низшей степенью его окисления, а в раствор щелочи вводят окислитель металла с концентрацией 0,1 0,0001 М.
Изобретение относится к химии твердого тела и может быть применено при создании тонкослойных структур гидроксидов металлов с заданным расположением атомов металлов различного состава, находящих применение в изделиях оптики и микроэлектроники с градиентом свойств в поверхностном слое.
Известен способ получения слоев гидроксидов металлов путем окисления подложки металла водой или щелочью [1] Однако данный способ не дает возможности получать слои гидроксидов требуемого состава и прецизионно изменять их толщину. Наиболее близким по решению к предлагаемому является способ получения слоев гидроксидов путем осаждения слоя на поверхности подложки в растворе легко гидролизующейся соли и щелочи [2] К недостаткам этого способа относится невысокая точность воспроизведения толщины синтезируемого слоя, невозможность прецизионно, на уровне монослоя структурных единиц, изменения его толщины и невысокая адгезия к подложке. Цель изобретения повышение точности воспроизведения толщины синтезируемого слоя гидроксида. Цель достигается тем, что в известном способе получения слоев гидроксидов металлов, заключающемся в обработке подложки раствором соли металла и щелочи, в соответствии с предлагаемым изобретением проводят раздельную обработку реагентами с удалением их избытка после каждой из обработок промывкой, причем металл-содержащую соль выбирают из числа солей данного металла с низшей степенью его окисления, а в раствор щелочи вводят окислитель металла с концентрацией 0,1-0,0001 М. Проведение раздельной обработки поверхности раствором соли металла и щелочи дает возможность выполнить синтез слоя гидроксида не в объеме раствора, а на поверхности образца в слое адсорбированных молекул. В последнем случае на поверхности протекают следующие реакции: [m]o-+MeOH+




(4) и т.д. в соответствии с реакциями 1-4. Как следует из данных схем, после адсорбции на поверхности подложки металла в низшей степени окисления (1) проводят отмывку ее от избытка соли металла (2), который не адсорбировался на поверхности, а затем обрабатывают в растворе окислителя (3), который переводит металл в высшую степень окисления, растворимость гидроксида при этом при данном значении рН резко понижается и поэтому он прочно закрепляется на поверхности и в результате при последующей обработке раствором соли металла в низшей степени окисления не происходит растворения. После обработки подложки раствором окислителя ее отмывают растворителем от избытка окислителя (4). Выполнение данных четырех обработок составляет один цикл "ионного наслаивания", в результате которого на поверхности адсорбируется один монослой гидроксида. При многократном повторении циклов толщина слоя будет увеличиваться пропорционально их числу. Выбор концентрации окислителя в диапазоне 0,1-0,0001 М определяется тем, что концентрация более 0,1 М может наблюдаться не только окисление слоя металла, но и окисление самой подложки, например полупроводника, а при концентрации меньшей, чем 0,0001 М, не будет наблюдаться полного окисления слоя адсорбированного металла и рост слоя не закономерный. Таким образом, использование новых операций при синтезе слоев гидроксидов позволяет решить качественно новую задачу регулирования толщины синтезируемого слоя на уровне монослоя структурных единиц и тем самым повысить точность воспроизведения его толщины. Предлагаемый способ реализован в лабораторных условиях. П р и м е р 1. Пластину кремния марки КЭФ-7,5 размером 10 х 10 мм после промывки в ацетоне травили HF и выдерживали в течении 10 мин в кипящей дистиллированной воде, помещали последовательно и многократно в 0,001 М раствор SnF2 во фторопластовом стакане, дистиллированную воду, 0,1 М раствор Н2О2 в NaОН (рН


Формула изобретения
Похожие патенты:
Способ получения пленок сульфида кадмия // 1818362
Способ получения эттрингита // 407575
Способ получения пленок сульфида свинца // 371963
Изобретение относится к технике получения водорастворимых кристаллов, находящих применение в нелинейной оптике
Изобретение относится к технологии тонкопленочных материалов и может быть использовано для получения сверхпроводящих, каталитических материалов, в магнитооптике, лазерной технике, интегральной оптике, СВЧ-технике
Способ синтеза алмаза // 2042748
Изобретение относится к получению синтетических алмазов, имеющих большое народнохозяйственное значение
Биокристаллизатор // 2042747
Изобретение относится к биотехнологии и может быть использовано для получения монокристаллов макромолекул в условиях микрогравитации (МГ) на борту орбитальной станции и на Земле
Способ получения синтетического аметиста // 2040596
Изобретение относится к гидротермальному синтезу кристаллов аметиста для ювелирной промышленности с использованием в качестве шихты кремнийсодержащих материалов
Изобретение относится к биотехнологии и используется для получения монокристаллов макромолекул в условиях микрогравитации на борту орбитальной станции и на Земле
Способ получения кристаллов // 2038429
Способ получения монокристаллов рутила // 1806224
Изобретение относится к способам получения монокристаллов оксида висмута и может быть использовано в химической промышленности для создания сверхпроводящих материалов, а также в пьезотехнике и акустооптике
Изобретение относится к гидротермальному способу перекристаллизации диоксида германия тетрагональной модификации (/ Ge02), который может быть использован как исходное сырье для создания композиционных материалов, в пьезотехнике, в частности в резонаторах и фильтрах различного назначения, и в других областях материаловедения
Изобретение относится к способам окрашенных монокристаллов оксида цинка и может быть использовано в ювелирной промышленности