Способ получения вещества в аморфном состоянии и макроскопических объемов
Способ получения вещества в аморфном состоянии относится к химической технологии. Цель изобретения получить аморфное вещество в макроскопическом объеме. Сущность способа заключается в охлаждении расплава вещества, находящегося под высоким давлением, до температуры, при которой при атмосферном давлении оно находится в твердом кристаллическом состоянии, и последующем быстром по сравнению со временем, характерным для взятого вещества, сбросе давления до атмосферного. 4 ил.
Изобретение относится к химической технологии и может быть использовано при производстве аморфных материалов в макроскопическом объеме.
Известны способы получения аморфных материалов [1] основной особенностью которых является получение образцов в виде тонких пленок и мелкодисперсных порошков, что связано с необходимостью высокой скорости охлаждения жидкофазных образцов (105-106)оС/c. Высокая скорость охлаждения жидкофазного образца обуславливает фиксацию его жидкофазной структуры, препятствует постановке молекул вещества в места возможной кристаллической решетки, т.е. обусловливает аморфизацию. Способ получения вещества в аморфном состоянии путем быстрого затвердевания его микрокапель в свободном полете выбран за прототип изобретения [2] Цель изобретения получение аморфного материала в макроскопическом объеме. Указанная цель достигается благодаря тому, что выбирают вещество, имеющее на Р-Т диаграмме область с отрицательной производной dP/dT (взятой вдоль кривой фазового перехода). Выбранное вещество в расплавленном состоянии резко охлаждают, но с целью получения аморфного вещества в макроскопическом объеме перед охлаждением вещество сжимают, затем охлаждают до температуры ниже температуры кристаллизации при атмосферном давлении, что соответствует достижению состояния находящегося в области Р-Т диаграммы с отрицательной производной, затем резко снижают давление за время характерное для выбранного вещества, с одновременным перемещением образца в зону с температурой ниже температуры кристаллизации аморфного материала. Начальное состояние для процесса охлаждения (точка С на фиг. 1) жидкофазного материала достигается благодаря тому, что: выбирается вещество с определенной фазовой диаграммой, называемой водоподобной фазовой диаграммой, показанной на фиг. 1. Существенной особенностью ее является наличие участка (а-b, вдоль которого повышение давления вызывает понижение температуры фазового перехода; перевод вещества в начальное состояние (точка С) из исходного (точка А) производится в следующем процессе: из А в В путем изотермического сжатия, после чего охлаждается изобарически до температуры Тн начальная температура. Температура Тн ниже То исходной температуры перехода при атмосферном давлении. В общем случае из состояния А и С можно перейти любым равновесным путем. Положение точки С должно быть как можно ближе к линии Р-Т диаграммы, однако так далеко, чтобы исключить спонтанный переход в твердое состояние. Эта близость определяется аппаратурной точностью поддержания температуры и давления. Вещество в состоянии точка С характеризуется значительным увеличением вязкости, и как следствие уменьшением скорости диффузии молекул по сравнению с исходным состоянием точки А. Переход из равновесного жидкофазного состояния в твердую фазу осуществляется неравновесным образом, путем уменьшения давления до исходного за время меньшее чем время перемещения молекул на межузельное расстояние (твердой фазы). Сброс давления нужно осуществить за время








Формула изобретения
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЕЩЕСТВА В АМОРФНОМ СОСТОЯНИИ И МАКРОСКОПИЧЕСКИХ ОБЪЕМОВ путем охлаждения вещества в виде жидкости, отличающийся тем, что перед охлаждением вещество сжимают, затем охлаждают до температуры кристаллизации при атмосферном давлении в области с отрицательной производной на P - T-диаграмме, после этого снижают давление с одновременным перемещением вещества в зону с температурой ниже температуры кристаллизации его в аморфном состоянии, при этом время снижения давления выбирают меньше временного интервала, необходимого для занятия молекулами вещества узлов возможной кристаллической решетки в состоянии к моменту снижения давления.РИСУНКИ
Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4
Похожие патенты:
Способ выращивания монокристаллов тугоплавких материалов и устройство для его осуществления // 2046159
Изобретение относится к неорганической химии, и может быть использовано для получения монокристаллов тугоплавких материалов методом направленной кристаллизации
Способ получения монокристаллов кремния // 2042749
Изобретение относится к полупроводниковой металлургии
Способ синтеза алмаза // 2042748
Изобретение относится к получению синтетических алмазов, имеющих большое народнохозяйственное значение
Биокристаллизатор // 2042747
Изобретение относится к биотехнологии и может быть использовано для получения монокристаллов макромолекул в условиях микрогравитации (МГ) на борту орбитальной станции и на Земле
Изобретение относится к технологии получения оптических материалов, прозрачных в ультрафиолетовой, видимой и инфракрасной областях спектра, а именно особочистых твердых кристаллов фторидов щелочноземельных и редкоземельных металлов, в частности фторида магния
Изобретение относится к способу гидротермального травления, обеспечивающего возможность создания экологически чистой методики травления монокристаллов танталата лития, используемых в электронной технике
Изобретение относится к методам химического газофазного осаждения покрытий, в частности в струе термической плазмы
Способ получения синтетического аметиста // 2040596
Изобретение относится к гидротермальному синтезу кристаллов аметиста для ювелирной промышленности с использованием в качестве шихты кремнийсодержащих материалов
Изобретение относится к биотехнологии и используется для получения монокристаллов макромолекул в условиях микрогравитации на борту орбитальной станции и на Земле
Изобретение относится к области получения крупных монокристаллов сверхпроводников из расплава системы Bi Sr Ca Cu O и может быть использовано в качестве оптических линий задержки в видимом и инфракрасном диапазонах, как электрические контакты и прерыватели для работы при низких температурах
Шихта для получения ювелирных кристаллов // 2034099
Изобретение относится к составам шихты для получения ювелирных кристаллов тугоплавких оксидов на основе диоксида циркония, обладающих опалесценцией
Изобретение относится к области физики твердого тела
Изобретение относится к области физики твердого тела, а именно к материалам для нелинейной оптики, и может быть использовано в различных устройствах квантовой электроники
Изобретение относится к способу получения кристаллов тугоплавких оксидов на основе диоксида циркония или гафния для производства ювелирных камней, а также может быть использовано в оптике для изготовления различных оптических элементов
Изобретение относится к получению сложных полупроводниковых соединений типа A3B5 и A4B6