Устройство для получения поликристаллических слоев соединений типа a2b6
Изобретение относится к производству поликристаллических слоев соединений A2B6. Сущность изобретения: устройство содержит рабочую камеру, нагреватель, испаритель, форвакуумный насос, контур осаждения и снабжено ловушкой, выполненной составной, с основанием в виде тарели с отверстиями и крышкой. Даны соотношения размеров устройства. 1 ил.
Изобретение относится к производству поликристаллических слоев соединений A2B6 (A2-Zb, Cd, Hg, B6 S, Se, Te) методом химического осаждения из паровой фазы и может быть использовано в оптической и электронной отраслях промышленности.
Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности и достигаемому результату является устройство для получения поликристаллических материалов методом химического осаждения из паровой фазы. Оно включает расположенную во внешнем нагревателе герметичную рабочую камеру с испарителем металла, контуром осаждения в виде четырех подложек и верхним выходным патрубком с отверстием, последовательно установленными друг над другом, а также трубопроводы для подачи реагентов и газа-носителя. Однако это устройство отличаясь высокой производительностью, не обеспечивает получение высокооднородного материала с низким содержанием объемных структурных дефектов. Целью изобретения является улучшение оптико-механических характеристик материала за счет повышения его однородности. Для этого устройство для получения поликристаллических слоев соединений А2В6 методом химического осаждения из паровой фазы, содержащее размещенную внутри нагревателя герметичную рабочую камеру с последовательно установленными в ней испарителем металла, контуром осаждения, связанную с форвакуумным насосом выходным патрубком, расположенным в центре выходного фланца, а также трубопроводы для подачи газа-носителя в испаритель металла и реагентов в смеси с газом-носителем в контур осаждения, согласно изобретению снабжено ловушкой, установленной в рабочей камере между контуром осаждения и выходным патрубком и герметично состыкованной с контуром осаждения, выполненной составной из основания в виде тарелки с отверстием в нижней части, выпуклостью, обращенной в сторону контура осаждения и сквозными отверстиями, равномерно размещенными по ее периферии, и крышки с выходным отверстием, расположенным соосно с выходным патрубком, боковая стенка которой выполнена сужающейся в направлении выходного отверстия, при этом высота крышки Н, диаметр основания D, площадь поперечного сечения выходного патрубка S1, площадь поперечного сечения выходного отверстия крышки ловушки S2 и суммарная площадь поперечных сечений отверстий тарелки S3 удовлетворяют следующим соотношениям: H (0,5-0,7)D; (1) S1 (0,8-1,0)S2; (2) S2 (0,8-1,0)S3 (3) Установка фильтра между контуром осаждения и верхним выходным патрубком в рабочей камере приводит к значительному снижению концентрации n объемных структурных дефектов (с n 5-20 см-3 до n


Формула изобретения
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СЛОЕВ СОЕДИНЕНИЙ ТИПА A2B6 методом химического осаждения из паровой фазы, содержащее размещенную внутри нагревателя герметичную рабочую камеру с последовательно установленными в ней испарителем металла и соединенным с ним трубопроводом контуром осаждения, форвакуумный насос, соединенный с камерой выходным патрубком, расположенным в центре выходного фланца камеры, и трубопроводы для подачи газа-носителя в испаритель металла и смеси реагентов с газом-носителем в контур осаждения, отличающееся тем, что оно снабжено ловушкой, установленной в рабочей камере между контуром осаждения и выходным патрубком и герметично соединенной с контуром осаждения, выполненной составной из основания в виде тарели с отверстием в нижней части, выпуклостью, обращенной в сторону контура осаждения, и сквозными отверстиями, равномерно размещенными по ее периферии, и крышки с выходным отверстием, расположенным соосно с выходным патрубком, боковая стенка которой выполнена сужающейся в направлении выходного отверстия, при этом высота H крышки, диаметр D основания, площадь S1 поперечного сечения выходного патрубка, площадь S2 поперечного сечения выходного отверстия крышки ловушки и суммарная площадь S3 поперечных сечений отверстий тарели удовлетворяют следующим соотношениям: H (0,5 oC 0,7) D; S1 (0,8 oC 1,0) S2; S2 (0,8 oC 1,0) S3.РИСУНКИ
Рисунок 1
Похожие патенты:
Изобретение относится к области силовой ИК-оптики и касается способа получения поликристаллического селенида цинка, используемого в качестве пассивных элементов CO2-лазеров и других приборов, работающих в ИК-диапазоне
Изобретение относится к силовой МК-оптике для получения пассивных элементов CO2-лазеров и других приборов, работающих в ИК-диапазоне
Изобретение относится к области технологии материалов для оптоэлектроники и лазерной техники, а именно к способам получения поликристаллических блоков селенида цинка
Способ получения кристаллов теллурида кадмия // 1818364
Изобретение относится к области силовой ИК-оптики и касается способа получения поликристаллического селенида цинка, используемого в качестве пассивных элементов CO2-лазеров и других приборов, работающих в ИК-диапазоне
Изобретение относится к силовой МК-оптике для получения пассивных элементов CO2-лазеров и других приборов, работающих в ИК-диапазоне
Изобретение относится к технологии производства материалов электронной техники и может найти широкое применение в технологии получения полупроводниковых соединений, преимущественно группы А3В5
Изобретение относится к технологическому оборудованию для осуществления процессов получения пленочных полупроводниковых материалов, в частности к устройствам для газофазного наращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А3В5
Способ выращивания алмазов // 2006538
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов, предназначено для получения нитевидных кристаллов (НК) с воспроизводимыми геометрическими параметрами