Устройство для измерения давления
Изобретение относится к емкостным датчикам давления, может быть использовано для измерения статического и динамического давлений жидких и газообразных сред и направлено на увеличение точности измерения за счет уменьшения температурных погрешностей. Сущность изобретения: устройство включает преобразователь емкости, электронный преобразующий блок. Преобразователь включает мембрану 3, выполненную за одно целое с опорным основанием 4, диск 5, который крепится к опорному основанию с заданным зазором. На мембране 3 выполнен в центре электрод 7 измерительного конденсатора в форме круга и на планарной стороне опорного основания 4 - электрод 8 опорного конденсатора в форме кольца. На диске 5 со стороны мембраны 3 размещен общий электрод 9. На мембране 3 между круговыми и кольцеобразными электродами по радиусу мембраны размещены участки терморезистора 10, выполненного в виде кольцевого меандра. Все элементы преобразователя помещены в вакуумированный корпус 11. Электроды конденсаторов 7, 8, 9 и терморезистор соединены с блоком, которым включает мостовую измерительную схему: источник опорного напряжения, формирователи опорного и уравновешивающего зарядов, преобразователь заряда в напряжение, фиксирующий элемент, интегратор, усилитель, блок компараторов, управляемые делители. 5 ил.
Изобретение относится к измерительной технике, в частности к емкостным датчикам давления, и может быть использовано для измерения статического и динамического давлений жидких и газообразных сред.
Известно устройство для измерения давления, включающее емкостный датчик давления и измерительную схему с регистратором, при этом датчик давления содержит вакуумированный корпус, упругую мембрану с жестким центром, в котором выполнено сквозное отверстие, где установлена втулка, выполненная из материала с коэффициентом линейного расширения, большим по сравнению с коэффициентом линейного расширения материала мембраны, при этом один торец втулки жестко скреплен с торцевой частью жесткого центра, а ее свободный торец расположен заподлицо с поверхностью мембраны и на нем установлен через изолирующую прокладку круглый электрод термокомпенсационного конденсатора, а электроды измерительного и эталонного конденсаторов выполнены в форме колец и установлены по краю жесткого центра и на периферии мембраны соответственно. Известен емкостный преобразователь давления, включающий емкостный преобразователь, состоящий из переменного и эталонного конденсаторов, причем эталонный включает компенсирующий переменный и больший по размерам постоянный конденсаторы. Эталонный конденсатор управляет одной схемой генерации частоты, а переменный конденсатор, чувствительный к давлению, управляет другой соответствующей схемой генерации частоты. При изменении емкости основного конденсатора отношения фаз значительно меняется и схема детектирования выходной фазы, соединенная с двумя данными схемами генерации частоты, будет регистрировать результирующий сдвиг фазы и вырабатывать выходное напряжение, зависящее от этого сдвига фазы. Недостатком известного устройства является большая температурная погрешность, обусловленная температурными деформациями, а также изменением модуля упругости диафрагмы от изменения температуры. Изобретение направлено на увеличение точности измерения за счет уменьшения температурной погрешности. Устройство включающее вакуумированный корпус с токовыводами, в котором установлены выполненная за одно целое с опорным основанием мембрана с центральным круговым электродом измерительного конденсатора и кольцевым электродом опорного конденсатора, расположенным на планарной стороне основания, и расположенный с зазором напротив мембраны диск с общим электродом, перекрывающим круговой и кольцевой электроды, при этом кольцевой электрод опорного конденсатора подключен через формирователь опорного заряда к источнику опорного напряжения, круговой электрод измерительного конденсатора подключен к формирователю уравновешивающего заряда, а общий электрод подключен через последовательно соединенные преобразователь заряда в напряжение и фиксирующий элемент к интегратору, выход которого является выходом устройства, дополнительно снабжено размещенным на мембране терморезистором, расположенным между круговым и кольцевым электродами, выполненным в виде кольцевого меандра, участки которого расположены вдоль радиусов мембраны, мостовой измерительной схемой, усилителем, блоком компараторов и двумя управляемыми делителями, при этом терморезистор включен в мостовую схему, диагональ питания которой подключена к источнику опорного напряжения, а выходная диагональ через усилитель подсоединена к блоку компараторов, выходы которого подключены к первым входам делителей, причем второй вход первого делителя подсоединен к источнику опорного напряжения, второй вход второго делителя подключен к выходу интегратора, а выходы делителей соединены с входом формирователя уравновешивающего заряда. Размещение участков терморезисторов на мембране между круговым и кольцеобразным электродами по радиусам мембраны позволяет воспроизводить среднеинтегральную температуру на мембране, причем практически не воспринимать деформацию от давления, т.к. половина каждого участка терморезистора работает на сжатие, а половина - на растяжение от радиальных деформаций, в результате чего повышается точность коррекции. Включение терморезистора в плечо симметричной мостовой схемы, дополненной резисторами, которые расположены в электронном блоке, позволяет получить термозависимый с достаточной девиацией корректирующий сигнал, пригодный для управления пороговым элементом, в результате чего повышается точность коррекции. Разделение корректирующего сигнала в ту или иную преобразующую цепь за счет порогового устройства, позволяет обеспечить линейную зависимость корректирующего сигнала на каждом участке температурной характеристики, а в результате чего повышается точность коррекции в широком температурном диапазоне. Формирование корректирующего сигнала в зависимости от его величины на каждом участке с различными коэффициентами преобразования за счет блоков компараторов и управляющих делителей позволяет обеспечить практически линейную зависимость корректирующего сигнала на каждом участке всего температурного диапазона, в результате чего повышается точность коррекции в широком температурном диапазоне. На фиг. 1 и 2 показана конструкция устройства для измерения давления и топология на поверхности мембраны; на фиг. 3 - упрощенная структурная схема; на фиг. 4 - график изменения температурной зависимости с выхода мостовой схемы и преобразования его по участкам температурного диапазона; на фиг. 5 - эпюра деформаций мембраны. Устройство включает преобразователь емкости (ПЕ) 1, электронный преобразующий блок (ЭПБ) 2. ПЕ 1 включает мембрану 3, выполненную за одно целое с опорным основанием 4, диск 5, который крепится к опорному основанию с заданным зазором, величина которого устанавливается за счет кольца 6. На мембране 3 выполнен в центре электрод 7 измерительного конденсатора в форме круга и на планарной стороне опорного основания 4 - электрод 8 опорного конденсатора в форме кольца. На диске 5 со стороны мембраны 3 размещена металлизированная пленка, выполняющая роль общего электрода 9. Кроме того, на мембране 3 между круговым и кольцеобразным электродами по радиусу мембраны размещены участки терморезистора 10, выполненного в виде кольцевого меандра. Все элементы ПЕ 1 помещены в вакуумированный корпус 11, из которого с помощью выводов 12 электроды 7, 8, 9 конденсаторов и терморезистор 10 соединены с ЭПБ 2. ЭПБ 2 включает основную цепь преобразования емкости в напряжение - это источник опорного напряжения ИОН 13, питающий формирователи опорного и уравновешивающего зарядов (ФОЗ) 14 и (ФУЗ) 15, подключенные к электродам 7 и 8, и электрод 9, подключенный к входу преобразователя заряда в напряжение (ПЗН) 16, с выхода которого сигнал поступает на фиксирующий элемент (ФЭ) 17, и далее на интегратор (И) 18, выходной сигнал Uвыхкоторого функционально связан с давлением Рх. Кроме того, ЭПБ 2 включает корректирующую цепь преобразования изменения сопротивления в напряжение терморезистора 10, дополненного до моста резисторами 19, усилитель (У) 20, формирующий сигнал Ut, выход которого соединен с блоком компараторов (БК) 21, а выходы компаратора соединены с управляемыми делителями (УД1) 22 и (УД2) 23. Устройство работает следующим образом. При подаче измерительного давления Рх на мембрану 3 происходит ее прогиб, а следовательно перемещение измерительного электрода 7 относительно электрода 9, расположенного на диске 5, в результате чего изменяется (увеличивается) емкость измерительного конденсатора на величину Сх, и становится равной Сu=Co+Cx, (1) где Cu - емкость измерительного конденсатора, состоящего из электродов 7 и 9; Co - емкость измерительного конденсатора на самом низком уровне измеряемого давления; Сх - величина приращения емкости измерительного конденсатора от перемещения мембраны на величину Х. При воздействии давления электрод 8 практически не перемещается относительно электрода 9, следовательно в силу равенства площадей электродов 7 и 8 емкость эталонного остается равной. Сэ=Со, (2) где Сэ - емкость эталонного конденсатора, состоящего из электродов 8 и 9. Таким образом, от давления Рх емкость измерительного конденсатора увеличивается, а емкость эталонного не изменяется. ФОЭ 14 формирует заряд на конденсаторах путем их попеременного подключения к ИОН 13. С общей точки конденсаторов ПЕ 1 сигнал поступает на ПЗН 16, где формируется напряжение, пропорциональное разности зарядов эталонного и измерительного конденсаторов. Затем сигнал поступает на ФЭ 17, где происходит запоминание и сравнение информации с последующим переключением на прямой и инверсный входы И 18, где суммируются дискретные значения напряжений в результирующее выходное напряжение, которое функционально зависит от Рх. Таким образом, в ПЕ 1 выходной сигнал изменяется пропорционально величине отношение емкостей





Кд1, Кд2 - коэффициенты преобразования УД1 и УД2, соответственно. Изменение температуры на датчике вызывает неравномерные температурные деформации на мембране 3 и изменение ее упругих свойств. Следовательно, выходной сигнал Uвых зависит не только от изменения Рх, но и от температуры tx. При изменении температуры на ПЕ 1, установленном на объекте измерения, меняется сопротивление терморезистора 10 при сохранении сопротивлений резисторов 19, расположенных в ЭПБ 2, установленного в более термостабильных условиях. Следовательно, с выходной диагонали мостовой схемы при постоянном напряжении ИОН 13, подключенного к выходной диагонали схемы, изменяется пропорционально изменению сопротивления терморезистора 10. Ut= U

Uп - напряжение питания моста;
Rt,

Формула изобретения
РИСУНКИ
Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4, Рисунок 5