Способ герметизации полупроводникового прибора
Сущность изобретения: при размещении прибора в пресс-форме плоскость радиатора совмещают с плоскостью среза пресс-формы, накладывают на поверхность радиатора пленку, не смачиваемую герметизирующей пластмассой и с низкой адгезией к металлу пресс-формы, при этом температуру T1 прессования определяют из выражения: T1 0.9T2 , где T2 - температура размягчения пленки, кроме того, в качестве пленки используют фторопласт. 4 ил.
Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано при герметизации их в пластмассу.
Известны способы герметизации полупроводниковых приборов в пластмассу литьем под давлением с помощью пресс-формы, состоящей из двух половин. Смыкание их образует формы корпусов полупроводниковых приборов, в которые загружают собранные элементы и впрыскивают расплавленную пластмассу. Недостатком этих способов является образование облоя, удаление которого требует дополнительных затрат. Особенно нежелателен облой на поверхности радиатора, находящейся в одной плоскости с гранью корпуса полупроводникового прибора, удаление которого снижает процент выхода годных из-за механических повреждений приборов. Известен способ герметизации полупроводниковых приборов, который предусматривает прижатие радиатора к поверхности формы. Данный способ, как и другие, не уменьшает вероятность образования облоя на поверхности радиатора из-за наличия микронеровностей и деформаций соприкасающихся поверхностей. Целью изобретения является уменьшение вероятности образования облоя на поверхности радиатора прибора. Это достигается тем, что при размещении прибора в пресс-форме плоскость радиатора совмещают с плоскостью среза пресс-формы, накладывают на поверхность радиатора пленку, не смачиваемую герметизирующей пластмассой и с низкой адгезией к металлу пресс-формы, при этом температуру Т1 прессования определяют из выражения Т1
Формула изобретения
1. СПОСОБ ГЕРМЕТИЗАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА, включающий размещение прибора в пресс-форме, смыкание пресс-формы и подачу под давлением герметизирующей пластмассы в пресс-форму, отличающийся тем, что, с целью уменьшения вероятности образования облоя на поверхности радиатора прибора, при размещении прибора в пресс-форме плоскость радиатора совмещают с плоскостью среза пресс-формы, накладывают на поверхность радиатора пленку, не смачиваемую герметизирующей пластмассой и с низкой адгезией к металлу пресс-формы, при этом температуру T1 прессования определяют из выражения T1
РИСУНКИ
Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4
Похожие патенты:
Изобретение относится к микроэлектронике и может найти широкое применение в технологии полупроводниковых приборов при изготовлении структур диэлектрик полупроводник
Способ рекристаллизации кремниевых слоев // 1826815
Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к способам создания кремниевых структур с заданными электрофизическими и структурными свойствами, и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем
Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к технологии изготовления интегральных схем, имеющих элемент памяти с затвором из поликристаллического кремния
Изобретение относится к области электричества, а более конкретно к технологии изготовления биполярных полупроводниковых приборов: диодов, тиристоров, транзисторов
Способ обработки лавинных диодов // 2100872
Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а более конкретно к методам радиационно-термической обработки диодов, работающих на участке пробоя вольтамперной характеристики, и может быть использовано в производстве кремниевых стабилитронов, лавинных вентилей, ограничителей напряжения и т.п
Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Способ легирования полупроводниковых пластин // 2111575
Изобретение относится к технике, связанной с процессами легирования и диффузии примесей в полупроводники и металлы, а именно к способам диффузионного перераспределения примеси с поверхности по глубине полупроводниковых пластин путем обработки в потоке электронного пучка, и может быть использовано в пространстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
Изобретение относится к устройствам для удаления нежелательных поверхностных примесей с плоской или имеющей нерегулярную форму поверхности подложки 12 высокоэнергетическим излучением
Способ формирования проводящей структуры // 2129320
Изобретение относится к технологии создания сложных проводящих структур с помощью потока заряженных частиц и может быть использовано в микроэлектронике для создания сверхминиатюрных приборов, интегральных схем, запоминающих устройств и оптических элементов
Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии изготовления дискретных приборов и интегральных схем для очистки (геттерирования) исходных подложек и структур на основе монокристаллического кремния от фоновых примесей и дефектов
Изобретение относится к методам формирования твердотельных наноструктур, в частности полупроводниковых и оптических, и может быть использовано при создании приборов нового поколения в микроэлектронике, а также в оптическом приборостроении