Устройство для регистрации флуктуации работы выхода электронов
Авторы патента:
Использование: изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для регистрации шумов, возникающих в контактах металл-полупроводник спонтанно или под действием неконтролируемых факторов внешней среды. Сущность изобретения: устройство выполнено в виде полупроводниковой пластины n-типа. На ее поверхность нанесены два электрода из разных металлов. Электроды подключены к блоку измерения. 1 з. п. ф-лы, 3 ил.
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для регистрации шумов, возникающих в контактах металл - полупроводник спонтанно или под действием неконтролируемых факторов внешней среды.
Исследование шумов, возникающих в различных твердотельных элементах радиоэлектроники, имеет большой практический интерес: с одной стороны, эти шумы (обычно имеющие характер неравновесных флуктуаций со спектром типа 1/f) представляют собой помехи, с которыми приходится бороться различными методами, а с другой стороны, они могут служить индикаторами необратимых процессов старения радиоэлектронных устройств [1] . Во всех известных устройствах, используемых для регистрации шумов в твердотельных элементах радиоэлектроники, непременно присутствует внешний источник тока. В результате оказывается невозможным установить, служит ли источником шума сам твердотельный элемент, или же шум возникает в этом элементе под действием тока, т. е. в результате самого измерения. При работе с различными фотоприемниками регистрируемые шумы обусловлены воздействием некоторых неконтролируемых факторов внешней среды, например электромагнитных полей космофизического происхождения [2] . Предполагается, что непосредственной причиной возникновения флуктуаций фототока служат малые изменения работы выхода электронов; однако и в этом случае невозможно установить, служит ли источником шума сам фотоприемник, или же шум со спектром типа 1/f возникает в результате прохождения через фотоприемник тока, подаваемого извне. Сказанное относится ко всем фотоприемникам, в том числе и любым фотодиодам, в которых рабочее тело (полупроводник) контактирует с двумя металлическими электродами [3] . Цель изобретения заключается в том, чтобы из устройства для регистрации флуктуаций работы выхода электронов исключить помехи, способные возникать в измерительной цепи из-за наличия самостоятельного источника питания. Цель достигается за счет того, что устройство для регистрации флуктуаций работы выхода электронов (фиг. 1) содержит полупроводник 1, на поверхность которого нанесены слои двух различных металлов 2 и 3, включенных в цепь измерения тока без дополнительного источника питания. Металлы создают в полупроводнике два противоположно ориентированных контактных слоя 4 различной толщины (l1











Формула изобретения
1. Устройство для регистрации флуктуаций работы выхода электронов, имеющих характер неравновесного шума типа 1/f, содержащее полупроводниковую пластину с нанесенными на нее двумя электродами и подключенную к измерительному блоку, отличающееся тем, что использована полупроводниковая пластина n-типа, а электроды выполнены из разных металлов. 2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что использована полупроводниковая пластина из фосфида галлия.РИСУНКИ
Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3
Похожие патенты:
Способ определения времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниковых пластинах // 2006987
Изобретение относится к полупороводниковой технике и может быть использовано для контроля времени жизни неравновесных носителей ( ) в стандартных двусторонне полированных пластинах, применяемых для изготовления полупроводниковых приборов
Способ изготовления интегральных схем // 2006986
Способ измерения и контроля параметров слоев микросхем и устройство для его осуществления // 2006985
Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники, используемой в производстве приборов и устройств на основе тонкопленочных структур для микроэлектроники, магнитооптики, оптоэлектроники, в особенности в производстве полупроводниковых, пленочных и гибридных микросхем
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для разрушающего контроля параметров полупроводниковых структур
Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов, в частности МДП-ИС, и предназначено для контроля качества операций технологического процесса изготовления МДП-ИС, следующих за операцией формирования подзатворного диэлектрика
Изобретение относится к области контроля параметров полупроводниковых структур после технологических операций
Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)
Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин
Способ градуировки резонансного датчика параметров эпитаксиального слоя на проводящей подложке // 2107356
Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем
Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния
Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин