Способ фотоэлектрохимического фрезерования невырожденного арсенида галлия «-типа

Союз Советских

Социалистичесних

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 26Х1.1964 (№ 909372/22-1) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 29.ХП.1966. Бюллетень № 2

Дата опубликования описания 6.П.1967

К,. 48d>, i!00

48а, 1!06

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

МПК С 23f

С 23Ь

УДК 621.357.8:546.681 (088.8) СПОСОБ ФОТОЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ФРЕЗЕРОВАНИЯ

НЕВЫРОЖДЕННОГО АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ и-ТИПА

Известен способ электрохимического травления полупроводниковых материалов с применением профилированных катодов или направленной струи электролита.

Предлагаемый способ фотоэлектрохимического фрезероваиия невырождепиого арсенида галлия и-типа отличается тем, что участки изделия, подлежащие травлению, освещаюг через шаблон. Процесс осуществляется в

10% ном растворе едкого натрия или калия.

Плотность тока 10 х a/ñiM2.

Для получения резкой кромки при фрезеровании используют шаблон с резкими границами между светлыми и темными участками, а для получения произвольного профиля — шаблон с переменной оптической плотностью.

Предлагаемый способ позволяет ускорить процесс, получить высокую разрешающую способность и любой профиль поверхности, а также контролировать глубину рельефа.

Предмет изобретения

1. Способ фотоэлектрохимического фрезерованпя невырождениого арсенида галлия и-типа, отличающийся тем, что, с целью получения любого профиля поверхности, ускорения процесса, возможности контролировать глуби10 ну рельефа, участки изделия, подлежащие травлению, освещают через шаблон.

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, целью получения резкой кромки, при фрезероваиии используют шаблон с резкими грани15 цами между светлыми и темными участками, для получения произвольного профиля используют шаблон с переменной оптической плотностью.