Способ определения профиля распределения параметров материала подложек, включающий изготовление химического среза подложки путем вертикального погружения ее в травитель с последующим постепенным ее подъемом из травителя и измерение значений параметра материала подложки вдоль поверхности химического среза, отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения профиля параметров, перед изготовлением химического среза подложки теоретически или по результатам предварительных измерений рассчитывают в виде кусочно-линейной функции приближением П(х) для искомого распределения параметра по глубине х подложки, травитель выбирают обеспечивающим скорость Т травления материала подложки 10-7 см 
с-1 < T < 10-5 см с-1, а скорость С - подъема подложки из травителя выбирают равной 10-4 см с1 при C*
10-4 смc-1, C* при 10-4 смc-1< C*< 1 смc-1, 1 см c-1 при C*
1 смc-1, где 
(Пimax-Пimin) - разница максимального и минимального значений П(х) на i-м участке ее возрастания или убывания, ХТ - толщина стравленного слоя подложки в месте ее пересечения с поверхностью травителя, Г(х) - абсолютная величина производной П(х) по глубине х подложки; n - число участков возрастания и убывания П(х), Y0 - длина химического среза (Y0 1 см).
Похожие патенты:
Изобретение относится к технике измерения физических параметров полупроводников и полупроводниковых приборов, в частности содержащих гомо-р-п-переход
Изобретение относится к неразрушающим методам контроля геометрических и электрофизических параметров слоистонеоднородных материалов, в частности толщин и удельных сопротивлений эпитаксиальных полупроводниковых структур
Изобретение относится к оптической спектроскопии полупроводников, а име нно к способу определения электрических параметров полупроводников
Изобретение относится к технологии, производства полупроводниковых приборов и может быть использовано для контроля концентрации дефектов, в частности вакансий
Изобретение относится к области испытаний изделий радиоэлектронной техники на воздействие климатических факторов
Изобретение относится к оборудованию для изготовления изделий электронной техники и может быть применено для климатических испытаний готовых приборов
Изобретение относится к электронной технике, в частности к устройствам для контроля полупроводниковых, например СВЧ- приборов с балочными выводами
Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)
Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин
Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем
Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния
Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
