Способ измерения m-параметра p-n-перехода в полупроводниках
1. Способ измерения m-параметра p-n-перехода в полупроводниках, включающий измерение амплитуды переменного напряжения Um1, обусловленного протекания через p-n-переход переменной составляющей тока Im1 с частотой 1 и постоянной составляющей I0, соотношение между которыми A1 = (Im1/I0) поддерживают постоянным, и определение m-параметра расчетным путем по величине амплитуды измеренного напряжения, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и расширения диапазона определения m-параметра полупроводниковых приборов по постоянному току, повторяют вышеуказанные операции при предварительно установленных частоте переменной составляющей тока, равной, 1/, и амплитуде переменной составляющей тока Im1, вычисляемой из соотношения A11/2= (Im/Io), которое поддерживают постоянным в процессе повторного измерения, измеряют амплитуду переменного напряжения Um2 на образце и определяют значение последовательного омического сопротивления R и m-параметра по формулам R= (Um1-2Um2)/Im1 m = 2Um2q/(A22kT), где q - заряд электрона; k - постоянная Больцмана; T - абсолютная температура.
A2= A11/2. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что при повторном измерении амплитуды переменного напряжения на образце устанавливают величину тока через исследуемый p-n-переход равной сумме двух гармонических сигналов и постоянной составляющей I = Im2(cos21t+cos22t)+Io, причем 21-22= 1, где 21, 22 - частоты гармонических сигналов, составляющих величину тока.