Троичный дизъюнктор на мдп-транзисторах
Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано при создании интегральных схем на МДП-транзисторах. Целью изобретения является упрощение устройства. Введение МДП-транзисторов 8 и 9 с встроенным каналом п-типа. а также новых конструктивных связей позволяет реализовать транзисторный диэъюнктор на основе троичной логики. 2 ил.
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК (5!)5 Н 03 К 19/094
ГОСУДАРСТВЕ -Ы Й КОМИТЕТ
ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ
ПРИ ГКНТ СССР
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
+4 (21) 4290574/21 (22) 27.07.87 (46) 23.01.92. Бюл, М 3 (75) А.Н, Кушниренко (53) 621.374 (088.8) (56) Electronics letters, 17 th October 1974, Ч.10, Ф 21, з.441, fig,1. (54) ТРОИЧНЫЙ ДИЗЬЮНКТОР НА МДПТРАНЗИСТОРАХ
„„ 4 „„1707757 А1 (57) Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано при создании интегральных схем на МДП-транзисторах. Целью изобретения является упрощение устройства. Введение МДП-транзисторов 8 и 9 с встроенным каналом п-типа. а также новых конструктивных связей позволяет реализовать транзисторный диэьюнктор на основе троичной логики. 2 ил.
1707757
Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано при создании интегральных схем на МДП-транзисторах, Целью изобретения является упроще- 5 ние устройства, На фиг,1 представлена схема троичного дизьюнктора; на фиг.2 — таблица истинности троичного диэъюнктора.
Троичный дизъюнктор на МДП-транзи- 1О сторах содержит первую 1 и вторую 2 выходные шины, первый 3 и второй 4
МДП-транзисторы с индуцированным каналом п-типа, первый 5 и второй 6 МДПтранзисторы с индуцированным каналом 15 р-типа, резистор 7, первый 8 и второй 9
МДП-транзисторы с встроенным каналом птипа, общую шину 10, шину 11 положительного питания, шину 12 отрицательного питания и выходную шину 13. 20
Строки транзисторов 3 и 4 подключены к положительной шине 11 питания, истоки— к выходной шине 13, а затворы соответственно через транзисторы 8 и 9 — к входным шинам 1 и 2, Затворы транзисторов 8 и 9 25 подключены соответственно к входным шинам 2 и 1 и к затворам транзисторов 6 и
5, строки ко1орых подключены к отрицательной шине 12 питания, а истоки — к выходной шине 13 и через резистор 7 к общей 30 шине 10.
Диэьюнктор работает следующим образом
Логическому 0 соответствует нулевое напряжpíèе, логической "1 -импульс поло- 35 жигельного напряжения, логической "2"— импульс отрицательного напряжения.
Если на входные ш 1ны поступают логические сигналы 0, "0" или "0", "1", или "1", 40
"0", или "1", "1", устройство работает как двоичный дизъюнктор, при этом транзисторы 5 и 6 закрыты. Если хотя бы на одну входную шину 1 и 2 поступает сигнал логической "2", то транзисторы 3 и 4 закрываются, а транзисторы 5 или 6 открываются и на выходной шине формируется сигнал логической "2".
Формула изобретения
Троичный дизъюнктор на МДП-транзисторах, содержащий первый и второй МДПтранзисторы с индуцированным каналом п-типа, соединенные параллельно, первый и второй МДП-транзисторы с индуцированным каналом р-типа, затворы которых подключены соответственно к первой и второй входным шинам, резистор, первый вывод которого подключен к выходной шине, о тл и ч а ю шийся тем, что, с целью его упрощения, введены первый и второй
МДП-транзисторы с встроенным каналом п-типа, сроки первого и второго МДПтранзисторов с индуцированным каналом п-типа подключены к положительной шине питания, истоки — к истокам первого и второго МДП-транзисторов с индуцированным каналом р-типа и выходной шине. а затворы соответственно через первый и второй МДП-транзисторы с встроенным каналом и-типа — к первой и второй входным шинам, затворы первого и второго
МДП-транзисторов с встроенным каналом и-типа подключены соответственно к второй и первой входным шинам, стоки МДПтранзисторов с индуцироеанным каналом р-типа подключены к отрицательной шине питания, второй вывод резистора подключен к общей шине, 1707757
Составитель А. Цехановский
Редактор И, Шмакова Техред М.Моргентал Корректор С. Черни
Заказ 275 Тираж Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035, Москва, Ж-35. Раушская наб„4/5
Производственно-издательский комбинат "Патент, г. Ужгород, ул.Гагарина, 101


