Устройство для измерения параметров ферритовых пленок и пластин

 

Изобретение может быть использовано при исследовании физических характеристик ферритовых пленок и пластин. Цель изобретения - расширение функциональных возможностей устройства путем измерения декремента затухания магнитостатических волн (МСВ). Устройство содержит входной и выходной преобразователи МСВ на диэлектрических платах 3, 4, закрепленных на станине 5 и стойке 6, которая перемещается в направляющих пазах станины 5. Расстояние между преобразователями регулируется микрометрическим винтом 7. Станина 5 и стойка 6 накрыты предметным столиком 8. В нем сделана прорезь под свободные, подпружиненные упругими прокладками 9, 10 концы плат 3, 4. Исследуемая ферритовая пленка 11 прижимается к поверхности столика 8 грузом 12. Входной 13 и выходной 14 коаксиально-полосковые переходы соединяются с преобразователями микрополосковыми линиями. СВЧ-сигнал в виде ЭВМ, поданной на входной коаксиально-полосковый переход 13, поступает по линии 15 на входной преобразователь. Здесь ЭМВ трансформируется в МСВ, распространяющуюся по узкому каналу (расположенному в области ферритовой пленки над прорезью столика 8) к выходному преобразователю, где происходит обратное преобразование МСВ в ЭМВ, в виде которой по микрополосковой линии 16 сигнал СВЧ поступает на выходной коаксиально-полосковый переход 14. Декремент затухания МСВ определяется прямым измерением зависимости затухания СВЧ-сигнала в устройстве от расстояния между преобразователями. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)ю G 01 R 33/05

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ В (21) 4476673/21 (22) 23.08,88 (46) 30,07.91. Бюл. М 28 (72) В.П.Иванов (53) 621.317.44 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

hh 1045182, кл. G О1 R 33/05, 1983. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ФЕРРИТОВЫХ ПЛЕНОК И

ПЛАСТИН (57) Изобретение может быть использовано при исследовании физических характеристик ферритовых пленок и пластин. Цель изобретения — расширение функциональных возможностей устройства путем измерения декремента затухания магнитостатических волн (МСВ). Устройство содержит входной и выходной преобразователи

МСВ на диэлектрических платах 3, 4, закрепленных на станине 5 и стойке 6, которая перемещается в направляющих пазах станины 5. Расстояние между преобразователями регулируется микрометрическим винтом 7. Станина 5 и стойка 6 накрыты

Я2,, 1666992 А1 предметным столиком 8, В нем сделана прорезь под свободные, подпружиненные упругими прокладками 9 и 1О концы плат 3 и 4.

Исследуемая ферритовая пленка 11 прижимается к поверхности столика 8 грузом 12.

Входной 13 и выходной 14 коаксиально-полосковые переходы соединяются с преобразователями микрополосковыми линиями, СВЧ-сигнал в аиде ЭМВ, поданной на входной коаксиально-полосковый переход 13, поступает по линии 15 на входной преобразователь. Здесь ЭМВ трансформируется в

МСВ, распространяющуюся по узкому каналу (расположенному в области ферритовой пленки над прорезью столика 8) к выходному преобразователю, где происходит обратное преобразование МСВ в ЭМВ, в виде которой по микрополосковой линии 16 сигнал СВЧ поступает на выходной коаксиальнополосковый переход 14. Декремент затухания

МСВ определяется прямым измерением зависимости затухания СВЧ-сигнала в устройстве от расстояния между преобразователями. 2 ил.

1666992

Изобретение относится к измерительной технике сверхвысоких частот, а точнее к устройствам локального неразрушающего контроля характеристик возбуждения и распространения магнитостатических волн (МСВ) в ферромагнитных пленках и пластинах большой площади.

Целью изобретения является расширение функциональных возможностей устройства измерения физических параметров ферритовых пленок и пластин за счет обеспечения с его помощью возможности локального нераэрушающего контроля декрементов затухания МСВ в ферритовых пленках и пластинах большей площади, расширение диапазона значений измеряемых величин декрементов затухания.

На фиг. 1 и 2 схематично показано предлагаемое устройство измерения параметров ферритовых пленок и пластин.

Устройство содержит входной 1 и выходной 2 микрополосковые преобразователи MCB на диэлектрических платах 3 и 4.

Платы 3 и 4 закреплены на станине 5 и стойке 6, которая может перемещаться в направляющих пазах станины 5. Расстояние между преобразователями 1 и 2 регулируется микрометрическим винтом 7.

Станина 5 и стойка 6 накрыты предметным столиком 8. В нем сделана прорезь под свободные, подпружиненные упругими прокладками 9 и 10 концы плат 3 и 4.

Исследуемая ферритовая пленка 11 прижимается к поверхности столика 8 грузом 12.

Входной 13 и выходной 14 коаксиально-полосковые переходы соединяются с преобразователями 1 и 2 микрополосковыми линиями 15 и 16.

Устройство работает следующим образом.

СВЧ сигнал в виде электромагнитных волн (ЭМВ), поданный на входной коаксиально-полосковый переход 13, поступает по микрополосковой линии 15 на входной преобразователь 1. Здесь ЭМВ трансформируется в МСВ, распространяющуюся по узкому каналу (расположенному в области ферритовой пленки над прорезью столика

8) к выходному преобразователю 2, где происходит обратное преобразование МСВ в

ЭМВ, в виде которой по микрополосковой линии 16 сигнал СВЧ поступает на выходной коаксиально-полосковый переход 14, Ограничение распространения энергии

MCB в области узкого канала происходит за счет отражения МСВ от границ раздела неметаллиэированный феррит- Ъеталлизированный феррит" (феррит над прорезью столика 8 — феррит прижатый к поверхности столика 8).

Декремент затухания МСВ определяется прямым измерением зависимости затухания СВЧ сигнала в устройстве от расстояния между преобразователями. При этом а — затухание MCB на единицу пути равен тангенсу угла наклона этой зависимости, О затухание MCB на единицу времени задержки можно определить по формулам аг=а, ч > где Vrp — групповая скорость МСВ, которую можно определить из фаэочастотной характеристики устройства а (f) (ФЧХ) для расстояния х между входными и выходными преобразователями МСВ, либо теоретически иэ дисперсионной зависимости.

Формула изобретения

Устройство для измерения параметров ферритовых пленок и пластин, содержащее магнитную систему, станину с направляющими пазами в ней, в которых установлена с возможностью перемещения стойка, входной и выходной микрополосковые преобразователи, выполненные на отдельных, закрепленных на станине и стойке диэлектрических платах, отл ич а ю ще ес я тем, что, с целью расширения функциональных возможностей устройства путем контроля декремента затухания магнитостатических волн, на станине и стойке установлена плоскопараллельная пластина из немагнитного металла с прямоугольной прорезью в центре, преобразователи закреплены наклонно к внешней рабочей плоскости плоскопараллельной пластины, края преобразователей не закреплены и выступают в прорезь пластины.

1666992

Составитель А,Романов

Техред М.Моргентал Корректор Q,Кундрик

Редактор Ю,Середа

Проиэводственно-иэдательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Закаэ 2521 Тираж 423 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб„4/5,