Способ изготовления кмоп-интегральных схем
Авторы патента:
Способ изготовления КМОП-интегральных схем, включающий формирование в подложке из кремния первого типа проводимости областей кармана второго типа проводимости, имплантацию ионов кислорода и проведение термообработок для формирования внутреннего нарушенного слоя, формирование комплементарных МОП-транзисторов, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности КМОП-интегральных схем за счет увеличения устойчивости к эффекту "защелкивания", перед имплантацией ионов кислорода на подложке формируют маску между комплементарными МОП-транзисторами, причем ее толщину выбирают из условия получения после проведения имплантации ионов кислорода и термообработок внутреннего нарушенного слоя, расположенного между комплементарными МОП-транзисторами в приповерхностной области подложки.
Похожие патенты:
Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении p-канальных МДП интегральных схем
Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к технологии изготовления интегральных биполярных схем с диодами Шоттки
Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении МОП-интегральных схем с поликремниевыми прецезионными резисторами
Способ изготовления мдп-транзисторов // 1554686
Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении МДП-транзисторов интегральных схем
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления ИС высокой степени интеграции
Способ сглаживания рельефа диэлектрической изоляции интегральных схем с многоуровневой разводкой // 1499604
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в произ водстве МОП БИС и СБИС
Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении МДП-ин тегральнык,схем
Способ изготовления кремниевых структур с диэлектрической изоляцией компонентов интегральных схем // 1480683
Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении структур интегральных схем с диэлектрической изоляцией компонентов
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении интегральных схем, особенно при необходимости минимизации количества операций литографии
Способ изготовления мдп ис // 2105382
Способ изготовления моноп-ячейки памяти, ячейка памяти и матричный накопитель на ее основе // 2105383
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для создания ЭРПЗУ с повышенной информационной плотностью на основе МОНОП-транзисторов, в частности, перепрограммируемых инжекцией горячих носителей заряда
Способ изготовления бикмоп структур // 2106039
Бикмоп-прибор и способ его изготовления // 2106719
Изобретение относится к конструированию прецизионных интегральных поликремниевых резисторов и может быть использовано в аналоговых и аналого-цифровых интегральных схемах (ИС)
Изобретение относится к микроэлектронике, более конкретно к способам изготовления КМОП интегральных схем (ИС) базовых матричных кристаллов (БМК) с самосовмещенным поликремниевым затвором и поликремниевой или полицидной разводкой первого уровня и может быть использовано как в цифровых, так и в аналоговых и аналого-цифровых интегральных схемах с низкой себестоимостью изготовления
Способ изготовления бикмоп прибора // 2141148
Изобретение относится к способу изготовления этого прибора, а именно к технологии изготовления вертикальных NPN и PNP биполярных транзисторов и комплементарных полевых транзисторов на общей подложке
Способ изготовления бикмоп структуры // 2141149
Изобретение относится к способу изготовления этих приборов, а именно к технологии изготовления полевых транзисторов и вертикальных NPN биполярных транзисторов на общей подложке
Изобретение относится к полупроводниковому запоминающему устройству с выполненной в виде колонны ячейкой стираемой программируемой постоянной памяти с плавающим затвором и управляющим затвором и к способу для его изготовления
