Запоминающий модуль
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). Целью изобретения является повышение надежности и упрощение запоминающего модуля. При подаче переменных токов, например, треугольной формы, сдвинутых на 90°, внутри ортогональных катушек создается вращающееся магнитное поле, необходимое для управления и продвижения ЦМД в доменосодержащем кристалле. Полосы из магнитомягкого материала, выполненные методами интегральной технологии, обеспечивают уменьшение величины тока, необходимого для возбуждения катушек. При этом уменьшается потребляемая мощность, повышается надежность за счет улучшения температурного режима работы модуля и расширяется диапазон функционирования. 2 ил.
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК
A I
1 1
466822/24-24 .06.88
11.90. Бюл. № 43
В. Лесных
1.327.66 (088.8 ) тент США № 4293929, 1 С 19/08, опублик. 1981. рское свидетельство СССР
780, кл. G 1 С 11/14, 1987.
ПОМИНАЮЩИЙ МОДУЛЬ обретение относится к вычислительике и может быть использовано при и запоминающих устройств на циеских магнитных доменах (ЦМД). ,изобретения является повышение на!
Изо технчк дании рическ
Цел). ности Ц
На запоми
Зап из фер распол щения
2, расп щей по водами источни внутрен катуше ления из маг
Формула изобретения ных на к
ЦМД в (21) (22) 1 (46) (72) (53) (56) кл. G
Ав № 14 (54) (57) ной те созда линдр
Целью ретение относится к вычислительной и может быть использовано при созапоминающих устройств на цилиндх магнитных доменах (ЦМД) . изобретения — повышение надежупрощения запоминающего модуля. иг. 1 и 2 изображена конструкция ающего модуля. минающий модуль содержит корпус 1 омагнитного материала, в котором жены источник магнитного поля смевиде двух постоянных магнитов 2 и ложенных по обе стороны изолируюложки 3 с металлизированными выи доменосодержащим кристаллом 5, магнитного поля управления в виде ей и внешней взаимоортогональных
6 и 7 индуктивности, элемент усиагнитного потока в виде полосок 8 итомягкого материала, расположенраях доменосодержащего кристалделенных от элементов продвижения здуш ной прослойкой 9.
„„SU„„1608748 (51) 5 G 11 С 11/14 дежности и упрощение запоминающего модуля. При подаче переменных токов, например, треугольной формы, сдвинутых на 90, внутри ортогональных катушек создается вращающееся магнитное поле, необходимое для управления и продвижения ЦМД в доменосодержащем кристалле. Полосы из магнитомягкого материала, выполненные методами интегральной технологии, обеспечивают уменьшение величины тока, необходимого для возбуждения катушек. При этом уменьшается потребляемая мощность, повышается надежность за счет улучшения температурного режима работы модуля и расширяется диапазон функционирования. 2 ил.
Запоминающий модуль функционирует следующим образом.
При подаче переменных токов, например, треугольной формы, сдвинутых на 90, внутри ортогональных катушек 6 и 7 создается вращающееся магнитное поле, необходимое для управления и продвижения ЦМД в доменосодержащем кристалле 5. Полосы 8 из магнитомягкого материала, выполненные методами интегральной технологии, обеспечивают уменьшение величины тока. необходимого для возбуждения катушек 6 и 7. При этом уменьшается потребляемая мощность, повышается надежность за счет улучшения температурного режима работы модуля и расширяется диапазон функционирования.
Наличие прослойки 9 обеспечивает изоляцию полосок 8 от элементов продвижения ЦМД.
Запоминающий модуль, содержащий корпус из ферромагнитного материала, в кото1608748
Фиг. 1
Рие. 2
Составитель Ю. Розенталь
Редактор Н. Лазаренко Техред А. Кравчук Корректор М. Самборская
Заказ 3622 Тираж 485 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5
Производственно-издательский комбинат «Патент», г. Ужгород, ул. Гагарина, 101 ром расположены изолирующая подложка с доменосодержащим кристаллом, источник магнитного поля смещения в виде двух постоянных магнитов, расположенных по обе стороны изолирующей подложки, источник магнитного поля управления в виде внутренней и внешней взаимоортогональных катушек индуктивности и элемент усиления магнитного потока, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и упрощения запоминающего модуля, элемент усиления магнитного потока выполнен в виде полосок из магнитомягкого материала, расположенных на краях доменосодержащего кристалла.

