Запоминающий модуль
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах. Запоминающий модуль имеет корпус, внутри которого расположен доменосодержащий кристалл, магнитосвязанный с источником магнитного поля управления в виде прямоугольного сердечника с управляющими обмотками, проводящий экран и источник магнитного поля смещения в виде постоянного магнита, расположенного на доменосодержащем кристалле и выполненного, например, методом термического напыления с осью анизотропии, направленной под углом к нормали к плоскости магнита. 1 ил.
COOS СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК (51)5 G 11 С 11 14
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К ABTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Формула изобретения
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ
ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ
ПРИ ГКНТ СССР
1 (21) 4470169/24-24 (22) 02.08.88. (46) 23.08.90. Бюл. № 31 (72) В.В. Лесных (53) 681.327.66 (088.8) (56) I EE E Тта п s Ма дп, ч. NAG-21, № 5, 1985, р. 1687 — 1690.
Заявка ЕВП № 0200173, кл. G 11 С 19/08, опублик. 1986. (54) ЗАПОМИНАЮЩИЙ МОДУЛЬ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании запоминающих устройств на циИзобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).
Целью изобретения является упрощение запоминающего модуля.
На чертеже изображена конструкция запоминающего модуля.
Запоминающий модуль содержит корпус
1, внутри которого расположен доменосодержащий кристалл 2, магнитосвязанный с источником магнитного поля управления в виде прямоугольного сердечника 3 с управляющими обмотками 4 и 4, проводящий экран 5 и источник магнитного поля смещения в виде постоянного магнита 6, расположенного на доменосодержащем кристалле
2 и выполненного, например, методом термического напыления с осью анизотропии, направленной под углом а к нормали к плоскости магнита.
Запоминающий модуль функционирует следующим образом.
При подаче в управляющие обмотки 4—
4 переменных токов, например, треугольной формы, со сдвигом по фазе на 90, управляющие обмотки 4 — 4 с сердечником
3 создают в плоскости кристалла 2 переÄÄSUÄÄ I 587583 А 1
2 линдрических магнитных доменах. Запоми.нающий модуль имеет корпус, внутри которого расположен доменосодержащий кристалл, магнитосвязанный с источником магнитного поля управления в виде прямоугольного сердечника с управляющими обмотками, проводящий экран и источник магнитного поля смещения в виде постоянного магнита, расположенного на доменосодержащем кристалле и выполненного, например, методом термического напыления с осью анизотропии, направленной под углом к нормали к плоскости магнита. 1 ил. менное вращающееся магнитное поле, необходимое для управления и продвижения
ЦМД, устойчивое состояние которых обеспечивается наличием постоянной составляющей магнитного поля смещения в плоскости доменосодержащего кристалла 2. При отключении литания за счет наличия этой составляющей ЦМД удерживаются в заданных позициях, т.е. осуществляется принцип сохранности информации и стартстопный режим работы модуля.
Направление и угол наклона ОЛН относительно нормали к плоскости магнита 6, например а=1,5 — 2,5, определяет наличие постоянной составляющей магнитного поля смещения в плоскости доменосодержащего кристалла.
Запоминающий модуль, содержащий корпус, внутри которого расположен доменосодержащий кристалл, магнитосвязанный с источником магнитного поля управления в виде прямоугольного сердечника с управляющими обмотками и источником магнитного поля смещения, и проводящий экран, отличающийся тем, что, с целью упрощения
1587583
Составитель К). Розенталь
Редакгор Г. Гербер Техред А. Кравчук Корректор М. Пожо
Заказ 2424 Тираж 486 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета но изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5 ! (роизводственно-издательский комбинат «Патент», г. Ужгород, ул. Гагарина, !О! запоминающего модуля, источник магнитного поля смещения выполнен в виде постоянного магнита с осью легкого намагничивания, направленной под углом к нормали к плоскости магнита, расположенного на доменосодержа щем кристалле.

