Патент ссср 163423

Ю. Н. Ефимов

ЕМКОСТНЫЙ ПАРАМЕТРОН

Известны емкостные параметроны, содержащие нелинейные емкости, линейные индуктивности и источники тока накачки.

Предлагаемая схема емкостного параметрона отличается тем, что нелинейные емкости, например полупроводниковые диоды, включенные встречно, соединены с двумя линейными нндуктивностями по мостовой схеме, а источник тока накачки включсн в диагональ моста.

Такое выполнение устройства позволяет создать емкостный параметрон, имеющий пять устойчивь|х состояний в жестком режиме.

На чертеже изображена принципиальная схема емкостного параметрона.

Нелинейные емкости, например полупроводниковые диоды 1,2 и 8,4, включенные встречно, соединены с линейными индуктивпостями

5 и б по мостовой схеме. Генератор 7 накачки включен в диагональ моста.

Теоретический анализ схемы показывает, что в схеме возможны четыре устойчивых состояния, различающиеся фазами на —, и пя2 тое устойчивое состояние, характеризующееся отсутствием колебаний. Экспериментальные данные подтверждают наличие жесткого реПодписная группа,V 145 жима возбуждения при нулевом смещении.

Нагрузочная способность схемы невелика.

Возбуждение параметрических колебаний в емкостном параметроне в жестком режиме может производиться как путем введения источника импульсов напряжения, превышающего порог жесткого режима, так и подачей радиоимпульса, амплитуда которого превь|ша. ет указанный предел, в результате чего схема переводится в режим мягкого возбуждения.

Предлагаемая схема может применяться в качестве запоминающей ячейки с пятью устойчивыми состояниями.

Предмет изобретения

Емкостный параметрон, содержащий нелинейные емкости, линейные индуктивности и источник тока накачки, отличающийся тем, что, с целью создания пяти устойчивых состояний в жестком режиме, нелинейные емкости, например полупроводниковые диоды, гключенные встречно, соединены с двумя линейными индуктивностями по мостовой схеме, а источник тока накачки включен в диагональ моста.