Устройство для получения монокристаллических слоев

 

Изобретение может быть использовано для создания полупроводниковых приборов и обеспечивает получение слоев с идентичными параметрами на двух противоположных сторонах подложки. Устройство содержит вакуумную камеру с испарителем. Над испарителем размещены два тепловых дефлектора, соединенные с испарителем паропроводами. Между собой паропроводы соединены горизонтальной трубкой, в которой размещена подложка. Дефлекторы закреплены шарнирно с возможностью изменения угла наклона в вертикальной и горизонтальной плоскостях. 1 ил.

СВОЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН (51)5 С 30 В 23/02

) g,ià.ii0

И)а1 Г:.

Б -;Б !

ОЛИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н ABTGPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4379865/31-26 (22) 19.02.88 (46) 07.04.90. Бюл, - 13 (71) Дагестанский филиал АН СССР (72) В.З,Жохов и B.Â.Èoõoâ (5 3) 621 . 315 ° 592 (088 3) (56) Данилин Б.С. Вакуумная техника в производстве интегральных схем.—

И.: Энергия, 1972, с. 1 11. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ 1 .ОНОКРИСТЛЛЛИЧЕСКК СЛОЕВ (57) Изобретение может быть использовано для создания полупроводниковых

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для создания полупроводниковых приборов.

Целью изобретения является получение слоев с идентичными параметрами на двух противополояных сторонах подложки.

На чертеже представлено устройство, общий вид.

Устройство содержит несущее основание 1, на котором закреплена рамка

2 из измерительной стали. Рамка 2 выполнена раздвижной в вертикальном и горизонтальном направлениях и служит для изменения относительного расположения и крепления на ней узлов устройства. На основании 1 установлен испаритель 3 с испаряемым веществом, подогреваемый спиралью 4. Устройство снабжено двумя тепловыми дефлекторами 5, соединенными с испарителем 3 при помощи паропроводов 6. Последние соединены между собой горизонтальной

„„SU„„15554()8 А I

2 приборов и обеспечивает получение слоев с идентичными параметрами на двух противоположных сторонах подложки. Устройство содержит вакуумную камеру с испарителем. Над иснарителем размещены два тепловых дефпектора; соединенные с испарителем паропроводами. Между собой паропроводы соединены горизонтальной трубкой, в которой размещена подложка. Де .шекторы закреплены шарнирно с воэможностью изменения угла наклона в вертикальной и горизонтальной плсскостях. 1 ип.

:трубкой 7, в которой на равном рас стоянии от дефлекторов 5 размещена подложка 8., снабженная нагревателем 9.

Трубка 7 имеет индивидуальный нагрев.

Каждый тепловой дефлектор 5 имеет 2 сферическую отражающую поверхность, цщ выполненную из пластины, спираль 10, ф юстировочные !1 и фиксирующие 12 винты, Крепят дефлекторы щарпирно в Сд верхней части рамки 2 с воэможностью изменения угла наклона при помощи юстировочных винтов 11 как в вертикальной так и в горизонтальной плосЭ

Ъ костях, что позволяет ориентировать поток частиц исп аряемого в еществ а в нужном направлении. Угловую ориен- тацию дефлекторов 5 осуществляют юстировочными винтами 11. Расстояние фв между.,цефлектором 5 и подложкой 8

30 мм, от испарителя 3 до центра отражающей поверхности теплового gåôлектора 5 60 мм. Расстояние меяду элементами устройства регулируют с . помощью рамки 2.

1555400

Устройство работает следующим образом.

Напыляемое вещество — селен помещают в испаритель 3. Верхняя сть испарителя 3 закрыта заслонкой (не показана), Все устройство помещено в вакуумную камеру (не показана), которую откачивают до давления остаточных газов 5 10 -10 мм рт.ст. Одновременно с откачкой производят нагрев испарителя 3 до 250 С для удаления газов, .содержащихся в селене, тепловых дефлекторов 5 до 230-250 С, паропровода 6 и трубки 7 до 225 С, подложки 8 до 180-190 С. Температуру каждого дефлектора контролируют индивидуальными термопарами и в процессе напыления корректируют. Подложка 8 экранирована от теплового поля трубки 7, После установления указанных режимов температуру испарителя 3 уменьшают до 220 С и открывают заслонку, начинается процесс напыления, Поток молекул и частиц испаряемого вещества, покидая поверхность расплава, поступает по паропроводу 6 к дефлекторам 5, тепловое поле которых приводит к перераспределению собственной энергии частиц и позволяет по- 0 лучить усредненный по энергии и скорости молекулярный поток и направляет его к подложке 8. Собственную энергию частиц испаряемого вещества, попавших в тепловое поле дефлектора 5, можно

35 выразить через коэффициент аккомодации, описывающий поведение молекулярного газа вблизи нагретой поверхности.

Тепловым полем дефлекторов 5 можно изменять не только энергию частиц, но и управлять скоростью роста пленки и концентрацией молекулярного пучка и, как следствие этого, увеличивать получения качественного, однородного по толщине монокристаллического слоя, Это дает возможность использовать предлагаемое устройство для серийного напыления монокристаллических слоев селена при изготовлении приборов с двумя идентичными рабочими поверхностями. качество монокристаллических слоев контролируют электронограммами.

Формула изобретения

Устройство для получения монокристаллических слоев, включающее вакуумную камеру, размещенный в ней испаритель и установленную над ним подложку, снабженную нагревателем, о тл и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью получения слоев с идентичными параметрами на двух противоположных сторонах подложки, устройство снабжено двумя тепловыми дефпекторами, соединенными с испарителем паропрово" дами и между собой горизонтальной трубкой, в которой размещена подложка на одинаковом расстоянии от дефлекторов.

1555400

Составитель Н.Давьдова

Редактор О, Головач Техреду А.Кравчук Корректор.Л. Бескид

Заказ 540

Подписное

Тираж 341

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открьггиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул, Гагарина, 101