Регулируемый усилитель
Изобретение относится к радиотехнике. Цель изобретения - увеличение стабильности фазового сдвига, вносимого усилителем при регулировке. Регулируемый усилитель содержит полевой транзистор 1, биполярные транзисторы 2 и 3, регисторы 4 и 6, конденсаторы 5 и 8, делитель 7 напряжения и источник 9 регулирующего напряжения. Для точной коррекции фазовой характеристики усилителя часть входного сигнала через делитель 7 и конденсатор 8 подается на базу транзистора 3, который для корректируещего сигнала включен по схеме с общим эмиттером. Корректирующий сигнал инвертируется в транзисторе 3 и фазовый сдвиг его становится противоположным фазовому сдвигу основного сигнала в каскадах, включенных по схеме с общей базой. При этом величина и знак изменения фазового сдвига в транзисторе 3 определяется коэффициентом деления делителя 7, изменением величины которого добиваются требуемой коррекции фазовой характеристики усилителя. 1 ил.
„„SU„„1 2352
СОЮЗ СОВЕТСНИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК
А1 (51) 5 Н 03 С 3/30
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Н А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Ю
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ
ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ
IlPH ГКНТ СССР (21 ) 4402784124-09 (22) 04. 04. 88 (46) 23.03. 90. Бюл, К 11 (72) Л.Н.Житомирский и И. И.Г1ульман (53) 621.396 ° 662 (.088.8) (56) Фиштейн A,N. Фазостабильные усилители широкого динамического диапазона. — N. Наука, 1981, с. 63, рис. 3. 10, (54) РЕГУЛИРУЕ1 1Ь1Й УСИЛИТЕЛЬ (57) Изобретение относится к радиотехнике. Пель изобретения — увеличение стабильности фазового сдвига, вносимого усилителем при регулировке. .Регулируемый усилитель содержит полевой транзистор 1, биполярные транзисторы 2 и 3, резисторы 4 и 6, конденсаторы 5 и 8, делитель 7 напряжения
2 и источнж 9 регулирующего напряжения.
Для точной коррекции фазовой характеристики усилителя часть входного сигнала через делитель 7 и конденсатор
8 подается на базу транзистора 3, который для корректирующего сигнала включен по схеме с общич эмиттером, Корректирующий сигнал инвертируется в транзисторе 3 и фазовый сдвиг его становится противоположным фазовому сдвигу основного сигнала в каскадах, включенных по схеме с общей базой.
При этом величина и знак изменения фазового сдвига в транзисторе 3 определяется козффивиентом деления делителя 7, изменением величины которого добиваются требуемой коррекции.Ьазовой характеристики. 1 ип.
1552352
Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано, в частности, в радиолокационных приемниках для фаэостабильной регулировки
5 усилен ия .
Пель изобретения — увеличение стабильности фазового сдвига, вносимого усилителем при регулировке.
На чертеже представлена принципиальная электрическая схема регули,руемого усилителя.
Регулируемый усилитель содержит
:полевой транзистор 1, первый биполярный транзистор 2, N дополнительных биполярных транзисторов.З; N+1 резисторов 4, N+1 конденсаторов 5, резистор 6, делитель 7 напряжения, дополнительный конденсатор 8 и источник 9 регулирующего напряжения.
Регулируемый усилитель работает следующим образом.
При уменьшении регулирующсго напряжения на затворе полевого.транзистора 1 уменьшается ток стока, в ре- 25 зультате чего пропорционально уменьшаются токи биполярных транзисторов 2 и 3 и, следовательно, уменьшается коэффициент усиления регулируемого каскадного усилителя.
Величина сопротивлений резисторов
4 выбирается в 2-4 раза больше входного сопротивления биполярного транзистора в схеме с общей базой при максимальном значении тока коллектора, 35
Благодаря шунтированию ре зисто рами
4 входных сопротивлений биполярных транзисторов 2 и 3 стабилизируется сопротивление нагрузки всех транзис40 торов, кроме транзистора 2, при этом значительно ос лабляется влияние емкостей эмиттерных переходов биполярных транзисторов 2 и 3 на изменение фазового сдвига регулируемого каскадного усилителя и увеличивается глубина регулировки усиления. Требуемая глубина регулировки усиления достигается при значительно меньпем изменении тока стока, что также ослабляет влия- ние проходных емкостей всех транзисторов на изменение Ьазового сдвига.
Так как каскад с общим истоком инвертйрует фазу входного сигнала, а каскад с общей базой не инвертирует, то при регулировке усилителя изменения фазовых сдвигов в каскадах с общим истоком и общей базой, вызванные прямым прохождением сигналов через проходные емкости транз исто ров, имеют противоположные знаки и частично комп ен с ируют с я.
Для более точной коррекции фазовой характеристики регулируемого каскадного усилителя часть входного сигнала через делитель 7 и дополнительный конденсатор 8 подается на базу дополнительного.биполярного транзистора 3, который для корректирующего сигнала включен по схеме с общим эмиттером.
Корректирующий сигнал инвертируется в дополнительном биполярном транзисторе 3, фазовый сдвиг erg становится противоположным фаэовому сдвигу основного сигнала в каскадах, включенных по схеме с общей базой. Причем величина и знак изменения фазового сдвига в дополнительном биполярном транзисторе 3 определяются коэффициентом деления делителя 7, изменением величины которого добиваются требуемой коррекции фазовой характеристики предлагаемого усилителя.
Фо рмул а из об ре тен ия
Регулируемый усилитель, содержащий полевой транзистор, исток которого соединен с общей шиной, затвор, являющийся входом регулируемого усили-. теля, через резистор соединен с источником регулирующего напряжения, а сток — с эмиттером первого биполярного транзистора, включенного по схеме с общей базой, о т л и ч а ю щ и й— с я тем, что, с целью увеличения стабильности фазового сдвига, вносимого усилителем при регулировке, введены Н, где N = 1, 2, 3,..., последовательно соединенных дополнительных биполярных транзисторов, включенных по схеме с общей базой, N+1 цепь,включающих в себя последовательно соединенные резистор и конденсатор,включенных каждая между эмиттером соответствующего биполярного транзистора и общей шиной, а также делитель напряжения, вклоченный между входом регулируемого усилителя и общей шиной, v. дополнительный конденсатор, включенный между отводом делителя напряжения и базой одного из дополнительных биполярных транзисторов, при этом сток полевого транзистора подключен к эмиттеру первого биполярного транзистора через дополнительные биполярные транзисторы.

