Генератор стирания
Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано в магнитофонах с автономным источником питания. Цель изобретения - повышение КПД и тока стирания. Генератор содержит транзисторы 1 и 2 разного типа проводимости, магнитную головку 3, три конденсатора 4-6, дополнительный транзистор 7, резисторы 8 и 9, соединенные определенным образом. Применение генератора в мостовой схеме позволяет значительно снизить напряжение питания. 2 ил.
СОЮЗ СОВЕТСНИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУбЛИК (19> SU (!1) О А1 (51)4 С l l В 5/02
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ
ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ
ПРИ ГКНТ СССР (21) 4237346/24-10 (22) 27.04,87 (46) 07.11.89. Бюл. ll> 41 (71) Специальное конструкторско-технологическое бюро микроэлектроники (72) А.А.Воронцов (53) 681.84.001.2(088.8) (56) Анисимов Н.В. Транзисторные радиоприемники, радиолы, электрофоны, магнитофоны. Справочник. Киев: Техника, 1980.
3adioelectronik > 1984, 11> 9, с.17.. (54) ГЕНЕРАТОР СТИРАНИЯ
2 (57) Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в магнитофонах с автономным источником питания. Цель изобретения — повьппение КПД и тока стирания. Генератор содержит транзисторы I и 2 разного типа проводимости, магнитную головку
3, три конденсатора 4-6, дополнительный транзистор 7, резисторы 8 и
9, соединенные определенным образом.
Применение генератора в мостовой схеме позволяет значительно снизить на" пряжение питания. 2 ил.
1520580
Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в бытовых магнитофонах с автономными источниками питания.
Целью изобретения является повы5 шение КПД и повышение тока стирания.
На фиг.1 представлена схема генератора; на фиг.2 — схема, иллюстрирующая пример применения генератора в 1 мостовой схеме, позволяющая значительно снизить напряжение питания.
Генератор содержит транзисторы 1 и 2 разного типа проводимости, коллекторы которых соединены между собой, а эмиттеры соединены с шиной питания и общей шиной согласно нормальной полярности их напряжения питания.
Один вывод стирающей головки 3 соединен с общей шиной, другой через, первый конденсатор 4 подключен к точке соединения коллекторов транзисторов
1 и 2 и через второй и третий конденсаторы 5 и 6 обратной связи — к базам транзисторов 1 и 2 соответственно, 25 база транзистора l соединена с коллектором дополнительно введенного транзистора 7, а через резистор 8 - с базой транзистора 7, база транзистора
2 соединена с эмиттером транзистора 7 3р и через резистор 9 — с базой транзистора 7.
Генератор стирания работает следующим образом.
При подаче напряжения питания через базы транзисторов 1 и 2 протека35 ет ток Ig величина которого прибли зительно определяется выражением
U лат 116 э 1161
Х ли Э
6"
9 где U„„ - напряжение питания1
U<,, Uz, — напряжения открывания
1 транзисторов и 2 соответственно;
R» R> — сопротивления резисторов 45
8 и 9 соответственно.
Влиянием транзистора 7 в этот мо» мент пренебрегают, так как величины резисторов 8 и 9 берут такими, чтобы выполнялось равенство
1 19 116 где U — напряжение открывания ба„ транзистора 7.
Наличие тока базы транзисторов и 2 означает их активный усилительный режим, поэтом9 генератор стирания входит в режим непрерывных колебаний, который поддерживается с помощью токов, протекающих через конденсаторы 5 и 6 и через базо-эмиттерные переходы транзисторов 1 и 2.
Наибольшее снижение напряжения питания можно, достичь при использовании генератора в мостовой схеме (фиг.2). Для сохранения частоты генератора и оптимального согласования его транзисторов с контуром величины емкостей в мостовой схеме должны быть удвоены. формула из обре тения
Генератор стирания, содержащий два биполярных транзистора разного типа проводимости, коллекторы которых соединены между собой и через первый конденсатор,и обмотку стирающей магнитной головки с общей шиной, базы транзисторов соединены между собой через два последовательно включенных резистора и подключены соответственно через второй и третий конденсаторы к выводу первого конденсатора, соединенному с выводом обмотки стирающей магнитной головки, а эмиттеры транзисторов соединены соответственно с шиной питания и общей шиной, о т л и.ч а ю шийся тем, что, с целью повышения КПД и повышения тока стирания, в него введен третий транзистор, подключенный коллектором и. эмиттером к базам первого и второго транзисторов соответственно, а базой - к точке соединения первого и второго резисторов..
1520580
Составитель Н.Макаренко
Техред М.Xоданич Корректор С.Черни
Редактор О. Головач
Заказ 6764/53 Тираж 558 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4(5
Производственно-издательский комбинат "Патент", r Ужгород, ул. Гагарина, 101


