Способ получения радиационных дефектов в ионных кристаллах

1. Способ получения радиационных дефектов в ионных кристаллах, включающий облучение ионного кристалла тяжелыми заряженными частицами, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности получения равномерного профиля распределения радиационных дефектов путем увеличения интервала концентрации радиационных дефектов и снижения флюенса заряженных частиц, перед облучением ионного кристалла его насыщают водородом до концентрации отрицательных ионов замещения водорода 510¹⁶ - 310¹⁸ см^-3.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что ионный кристалл облучают протоками с энергией от 4,7 МэВ и флюенсом от 1,010¹⁰ до 410¹³ протон/см² или дейтронами с энергией 15 МэВ и флюенсом 210¹¹ дейтрон/см².