Способ оптической записи информации

 

Изобретение относится к накоплению информации, а именно к способам оптической записи информации. Преимущественная область использования - системы хранения .и передачи информации, элементы оперативной и долговременной памяти вычислительных устройств. Целью изобретения является повьшение быстродействия и надежности записи информации. В изобретении используется гироэкситонный эффект памяти в дисперсной среде на основе антиферроэлектрического молекулярного кристалла. Гироэкситонный эффект наблюдается при одновременном воздействии поляризованного резонансного светового облучения и внешнего электрического поля на молекулярный кристалл с нецентросимметричными молекулами. сС

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН (д) 4 С 11 С 13/04

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (2 1) 4236389/24-24 (22) 27.04.87 (46) 15.01.89. Бюл. М- 2 (75) Е.Я. Глушко (53) 681. 327.66 (088. 8) (56) Авторское свидетельство СССР

У 709484, кл. G 11 В 7/00, 1978.

Авторское свидетельство СССР

У 652607, кл. G 11 В 7/00, 1977. (54) СПОСОБ ОПТИЧЕСКОЙ ЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ (57) Изобретение относится к накоплению информации, а именно к способам оптической записи информации. Преимущественная область использова„.SU„„1451770 А1 ния — системы хранения .и передачи информации, элементы оперативной и долговременной памяти вычислительных устройств. Целью изобретения является повышение быстродействия и надежности записи информации. В изобретении используется гироэкситонный эффект памяти в дисперсной среде на основе антиферроэлектрического молекулярного кристалла. Гироэкситонныи эффект наблюдается при одновременном воздействии поляризованного резонансного светового облучения и внешнего электрического поля на молекулярный кристалл с нецентросимметричными молекулами.

1451770 (1) 35

Р=1,2

45

50 (2) 1 anP>, 1 а п (Р,Е) (4) Изобретение относится к накоплению информации, а именно к способам оптической записи информации, и преимущественно может быть исполь5 зовано в системах хранения и передачи информации, элементах оперативной и долговременной памяти вычислительных устройств.

Целью изобретения является повышение быстродействия и надежности записи информации.

В изобретении используется гироэкситонный эффект памяти в дисперсной среде на основе антиферроэлектрического молекулярного кристалла.

Гироэкситонный эффект наблюдается при одновременном воздействии поляризованного резонансного светового облучения и внешнего электрического поля на молекулярный кристалл с нецетросимметричными молекулами.

Возбуждение сигнглетного экситона в одной из давыдовских подзон 25 антиферроэлектрика приводит к появлению статического дипольного момента. Для кристалла с двумя молекулами в элементарной ячейке дипольный момент р -давыдовской подзоны. где Й вЂ” волновой вектор;

L (К) — матрица резонансного пеЫ реноса возбуждения.

Дисперсионная среда (порошок) антиферроэлектрика не поляризуется при резонансном возбуждении в отсутствие внешнего электрического поля вследствие хаотической ориентации частиц. Внешнее электрическое поле вызывает механическую ориентацию частиц в освещенной области дипольными моментами Р вдоль поля, где Р— результат усреднения (i) по экРитонной функции распределения в р-подзоне.

Таким образом, гироэкситонный эффект представляет собой механическую ориентацию антиферроэлектрического 55 молекулярного кристалла с экситонами

Френкеля во внешнем электрическом поле.

Сканирование пленки порошкообразного носителя меняющимся по интенсивности узким поляризованным световым лучом в присутствии внешнего поля приводит к тому, что различные участки, ориентируясь по-разному, "заtt поминают величину поля Е и интенсивность светового луча. Эффект памяти здесь проявляется в двух аспектах: последующие сканирования образца светом резонансной частоты будут воспроизводить без изменения записанную картину поляризации; в меру величины анизотропии экситонного кристалла преимущественная ориентация дисперсных,частиц определяет поперечную (по отношению к пленке) компоненту тензора диэлектрической проницаемости, коэффициент отражения света, упругие свойства и т.п.

Стирание записанного сигнала осуществляется поворотом направления поля Е в плоскость пленки. При этом поперечная поляризация пленки обращается в нуль. Другая возможность заключается в смене возбуждаемой давыдовской подзоны. При этом поляризация в антиферроэлектрике согласно (1) меняет знак. Полосы поглощения давыдовских подзон в молекулярных кристаллах сильно поляризованы, поэтому в случае, если ширина спектра источника порядка ширины экситонной зоны, переход к другой подзоне осуществляется изменением поляризации светового луча.

Условие записи стабильной информации на дисперсном носителе поляризованным резонансным световым пучком, создающим концентрацию и экситонов в давыдовской подзоне в присутствии внешнего поля и при температуре Т, задается соотношением между потенциальной энергией сцепления частицы с окружением U энергией во внешнем поле W и тепловой энерЕ гией КТ:

Энергия частицы во внешнем поле определяется ее дипольным моментом

P. Если а — размер частицы, то з 1451770

Характерное время разворота частицы в процессе записи определяется из уравнения динамики вращения: где — толщина пленки;

E — диэлектрическая проницае" мость.

Формула изобретения

Составитель С. Самуцевич

Редактор Е.Копча Техред Л.Олийнык КоРректоР В.Бутяга

Заказ 7086/51 Тираж 558 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

4 а (--- — -) ) (5)

P nE

Р где р — плотность кристалла.

В случае, если р 11 г/см, n =

10 см, а„=5А, ° 10 с.

При считывании записанного сигна-ла луч света индуцирует поляризацию

Р = nP> cos g, (6) где Ч вЂ” установившийся в данном месте носителя угол ориентации.

Детектором измеряется разность потенциалов, возникшая между поверхностями образца п Р „ д cos g (7)

Способ оптической записи информации, заключающийся в одновременном воздействии на дисперсный носитель на основе порошка из антиферроэлект» рического молекулярного кристалла поляризованным световым лучом и элек= " трическим полем, о т л и ч а ю щ и йс я тем,что, с целью повышения быстродействия и надежности записи информации, частоту и поляризацию сватового луча устанавливают совпадающими . с частотой и поляризацией полосы поглощения одной из давыдовских подзон антиферроэлектрического молекулярного кристалла,