Патент ссср 158207

 

№ 158207 .Класс G 01п; 57Ь, 140в

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ rC;r,-,—;

Лодписная pgnna № 285

С. П. Шалаев

СПОСОБ ИЗМЕРЕН ИЯ Н ЕРЕЗКИХ Л И Н И Й ФОТОГРАММ

Заявлено 16 января 1963 г. за ¹ 813969/26-10 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений и товарных знаков» № 20 за 1963 г.

Известны способы измерения нерезких линий фотограмм с фотографированием исследуемой картины на фотоматериал с прозрачной подложкой и обычным проявлением.

Для повышения точности измерения по предлагаемому способу полученный негатив или позитив освещают точечным источником света и измеряют расстояние между мнимыми изображениями источника, пос гроенными цилиндрическими линзами, образующими рельеф.

Измерение нерезких линий фотограмм по предлагаемому способу производят следующим образом.

После проявления скрытого изображения получают рельефное изображение фотографируемой картины, причем наибольшим почерненням соответствуют наибольшие высоты рельефа. При постепенном переходе от наибольшего почернения к наименьшему рельеф будет повторять этот переход в виде плавной кривой. Поскольку темные участки изобра

>„".eíll÷ света не пропускают, то при просвечивании полученного изображения лучами от точечного источника света светлые участки изображения судут действовать как отрицательные цилиндрические линзы. таких1 образом, просвечивая полученный негатив или позитив точеч. ным источником света, можно получить ряд мнимых изображений источника, расстояния между которыми будут находиться в функциональной зависимости от расстояний между нерезкими линиями оригинала.

Предмет изобретения

Способ измерения нерезких линий фотограмм с фотографированием исследуемой картины на фотоматериал с прозрачной подложкой и обычIbIM прояв.lpHHpì, о тлич а ющий ся тем, что, с целью повышения

¹ l58207 точности измерения, полученный негатив или позитив освещают точечным источником света и измеряют расстояния между мнимыми изображениями источника, построенными цилиндрическими линзами, образующими рельеф.

Составитель В, Ф. Ванторин

Редактор Б, С. Нанкина Техрсд A. А. Камышникова 1(орректор Н. В. Гераськина

Г1одп. к печ. 18/IX — 63 r. Формат бум. 70)(1081!а2 Объем 0,18 изд. л.

Ваказ Я49/! 9 1 праги 600 Цена 4 коп.

ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4.

Типография, пр. Сапунова, 2.

Патент ссср 158207 Патент ссср 158207 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к испытаниям светочувствительных материалов

Изобретение относится к области испытания светочувствительных материалов, в частности к средствам резольвометрии с использованием когерентных источников света, и обеспечивает повышение производительности получения резольвограмм, возможность автоматизации и расширение перечня тестируемых светочувствительных материалов

Изобретение относится к области испытания светочувствительных материалов, а именно к методам и средствам резольвометрии с использованием когерентных источников света, и может быть использовано в автоматизированных системах тестирования фоторегистрирующих материалов и сред
Изобретение относится к области цветной фотографии и может использоваться преимущественно при аддитивной фотопечати в профессиональной и любительской сфере

 // 158801

 // 159307

 // 160948

Способ определения энергетического порога чувствительности ядерной эмульсиипри известных способах оценки значения энергетического порога чувствительности фотоэмульсий по средней плотности проявленных зерен на следе частицы с определенной ионизирующей снособиостью онираются на 5 произвольные предложения о величине флюктуации в передаче энергии частицей мнкро- 'кристаллу agbr. это не дает возможности быть уверенным в достоверности способов.по предлагаемому способу можно прямо 10 'получить кривую распределения лппфокрнсталлов agbr ядерной эмульсии по их чувствительности.способ основан на изучении фотографической эффективности результата попадания в 15 микрокристалл отдельного электрона известной энергии, тормозяи1.егося внутри мнкрокристалла до остановки. при этом миниг^итльная энергия электро]1а, которая сообщает микрокристаллу способность к проявлению может 20 быть отождествлена с чувствительностью микрокристалла.заключается способ в том, что на однослойном препарате исследуемой эмульсии экспонируют под электронным пучком последова- 25 тельность полей, отличающихся энергией электронов, но при постоянстве экспозиций. после нроявления препарата определяют плотность проявленных зерен в полях облучения и строят зависимость выхода нроявлен- 30 ных зерен от энергии электронов.нов выбирают такими, чтобы можно было пренебречь вероятностью кратных попаданий электронов в микрокристалл и выходом электронов за пределы микрокристаллов. этим условиям соответствуют экспозиции 0,1—0,2 электрона на микрокристалл и эпергия электронов при экспозиции, не превыщающая 2000 эв (максимальиый пробег в agbr~ -^10^0 см).тогда нолучеииая зависимость выхода проявленных зерен от энергии электронного пучка будет показывать долю микрокристаллов с норого>&.! чувствнтельности не выще заданного значення энергии, а дифференцированная кривая — распределенне микрокристаллов по чувствительности.предмет изобретенияспособ онределення энергетического порога чувствительности ядерной эмульсни по плотности проявленных зерен, находящихся в ноле облучення, отличающийся тем, что, с целью нолучення сведеннй о распределепи'и мнкрокрнсталлов agbr по чувствительности, изучают выход проявленных зерен на последовательности полей однослойного препарата, экспонированных npii постоянной экспозиции электронами с различной энергней в условнях эксноннровання, когда вероятность кратных попаданнй электронов в микрокристалл и выход электронов за нределы микрокристалла нренебрежимо малы. // 172407
Наверх