Патент ссср 153979
Класс Н Olj; 21@, 13is
Ж 153979
СССР
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Лодпасния гру гпа Л3 97
H. В. Сиприков, П. К, Ощепков, Л. А. Гречаник, Г. А. Чуйко и Е. А. Файнберг
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭМИТТЕРОВ ДЛЯ ЭЛЕКТРОННЫХ
УМНОЖИТЕЛЕЙ
Заявлено 5 февраля 1962 r. за 4 763146/26-9 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Опубликовано в «Бюллетене изобретений и товарных знаков» М 8 за 1963 г
Известны способы изготовления эмиттеров для электронных умножителей с непрерывным распределением потенциала по поверхности стеклянных эмитгеров.
Предлагается способ изготовления, при применении которого повышается коэффициент вторичной эмиссии эмиттера и обеспечивается его устойчивость к воздействию воздуха. Это достигается тем, что пластины свинцовосиликатного стекла — заготовки эмиттера — отжигают в водороде при 380 — 400 .
Сущность способа состоит в следующем.
Пластины стекла, содержащего Si02 PbO и 810з, отжигают в восстановительной среде в атмосфере водорода при 380 †4, На поверхности пластин образуется электропроводящая пленка с удельным поверхностным сопротивлением порядка !Π— 10 ол, являющаяся эмиттером вторичных электронов. Так как восстановлению подвергается вся поверхность пластины, пленку с нерабочей части поверхности удаляют шлифовкой Темпсратурный коэффициент сопротивления пленки, измеренный на воздухе, составляет 0,3 — 0,4% на 1 в интервале температур 20 — 200".
I)ëенка стабильна при прогреве на атмосферном воздухе до 200, что позволяет применять ее в разборных конструкциях.
Предмет изобретения
Способ изготовления эмиттеров для электронных умножителей с не¹. 153979
Составитель Л. Рубинчик
Корректор А. Фомина
Редактор Л. И. Колыбина Техред Т. П Курилко
Подп. к печ 23,/"-63 г. Формат бум. 70X108 /ö Объем 0,18 изд. л.
Заказ 1370 Тираж 1200 Цена 4 ко.|
ЦН!1ИПИ Государственного Комитета по делам изобретений и открытий СССР
Москва, Центр, проезд Серова, дом. 4
Киржачская типография отдела издательств и полиграфической промышленности
Владимирского областного Управления культуры, прерывным распределением потенциала по поверхности стеклянных эмиттеров, отличающийся тем, что, с целью повышения .коэффициента вторичной эмиссии эмиттера и обеспечения его устойчивости к воздействию воздуха, заготовки эмиттера из свинцовосиликатного стекла отжигают в водороде при температуре 380 — 400 .
