Полупроводниковый диод для переключения на свч
Класс Н 011; 21g 11вв
Ю. 152035
СССР
О| |ИОАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Подписная группа М 97
Л. С. Л ибер м ан.ПОЛУПРОВОДНИКОВЪ|й ДИОД ДЛЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ НА СВЧ
Заявлено 16 марта 1962 г. за ¹ 769230/26-9 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Опубликовано в «Бюллетене изобретений» ¹ 23 за 1962 г.
Полупроводниковые диоды для переключения на СВЧ известны.
В этих диодах используется изменение импеданса р-и-перехода под действием приложенного напряжения.
В предлагаемом диоде, предназначенном для переключения на
СВЧ, используется принцип резонансов.
Сущность изобретения заключается в том, что для получения в по.лупроводниковом диоде двух резко отличающихся значений импеданса диода, одно из которых соответствует состоянию пропускания, а другое состоянию запирания, величины емкостей патрона и запорного слоя и индуктивности вывода выбраны такими, что при положительном напряжении смещения имеет место резонанс в параллельном контуре: индуктивность вывода — емкость патрона, а при отрицательном — резонанс в последовательном контуре: индуктивность вывода — емкость запорного слоя.
На чертеже представлена эквивалентная схема диода, включенного в линию передачи.
Схема диода включает в себя: индуктивность L контактной пружины, емкость С вЂ” запорного слоя, сопротивление r обьема полупроводника, емкость С вЂ” патрона.
Для переключения в целях СВЧ используется резонанс, возникающий либо в параллельном, либо в последовательном контуре (в зависимости от знака напряжения смещения).
При достаточно положительном смещении запорный слой исчезает и эквивалентная схема сводится к параллельному контуру LC„r.
Если L и С„выбраны так, что на рабочей частоте соЕ.= —, то № 152035
Предмет изобретения
Полупроводниковый диод для переключения на СВЧ, отл и ч а ющи и ся тем, что, с целью получения двух резко отличающихся значений импеданса диода, одно из которых соответствует состоянию пропускания, а другое состоянию запирания, величины емкостей патрона и запорного слоя и индуктивности вывода выбраны такими, что при положительном напряжении смещения имеет место резонанс в параллельном контуре: индуктивность вывода — емкость патрона, а при отрицательном — резонанс в последовательном контуре: индуктивность вывода — емкость запорного слоя.
Составитель П. И. Пятушко
Редактор Е. Г. Манежева Техред А. А. Кудрявицкая Корректор Н. С. Сударенкова
Подп. к печ. 12/1 — 63 r. Формат бум. 70 Х 108 /ii;
Зак. 3798/6 Тираж 1150
ЦБТИ при Комитете по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Центр, М. Черкасский пер., д. 2/6.
Объем 0,18 изд. л.
Цена 4 коп.
Типография, пр. Сапунова, 2. (J-)- эквивалентное сопротивление контура будет высоким: R - =что
r соответствует при данном включении диода пропускному состоянию.
Когда же подано отрицательное смещение и напряжение смещения
1 подобрано так, что го/.= (С зависит от напряжения), возникает с ! последовательный резонанс, и остаточное сопротивление, равное приблизительно r, мало. Это соответствует состоянию запирания (при параллельном включении диода в линию передачи).
Из изложенного следует, что нелинейное сопротивление р-п-перехода, не показанное на чертеже, можно не рассматривать, так как оно либо очень велико — при отрицательном напряжении смещения, либо равно практически нулю — при положительном смещении.
Диод может быть выполнен различной конструкции.
