Элемент памяти
Изобретение относится к программируемым запоминающим устройствам с плавающим затвором и ультрафиолетовым стиранием и может быть применено для записи информации в ячейку полупостоянного запоминающего устройства с использованием пониженного напряжения записи. Целью изобретения является уменьшение потребляемой мощности. Поставленная цель достигается за счет введения двух областей инжектирующих электродов, размещенных между областями плавающего и управляющего затворов с частичным перекрытием их краев, причем области инжектирующих электродов параллельны области плавающего затвора. 2 ил.
СОЮЗ СО8ЕТСНИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК (51)4 С 11 С 11/40
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Н А BTOPCHGMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ
ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И OTHPbtTHAM
ПРИ ГКНТ СССР (21) 4038101/24-24 (22) 06.02,86 (46) 15.04.89, Бюл. У 14 (75) Г.В.Орловский (53) 681,327,66(088,8)
{56) Прибор 2708. — Справочник
Intel Component Data Саса1о, 1978, раздел 4.38.
Техническое описание микросхемы
К573Ф5 И13,414.021 ТО, раздел 6.1 с. 12-14. (54) Э5ЖИЕНТ ПАЩТИ (57) Изобретение относится к программируемым запоминающим устройствам с
Изобретение относится к программируемым запоминающим устройствам с плавающим затвором и ультрафиолетовым стиранием и может быть применено для записи информации в ячейку полупостоянного запоминающегб устройства с использованием пониженного напряжения записи.
Целью изобретения является уменьшение потребляемой мощности °
На фи1.1 представлен элемент памяти; на фиг.2 — то же, вид сверху.
Элемент памяти содержит управляющий 1 и плавающий 2 затворы, полупроводниковую подложку 3, истоковую область 4, стоковую область 5,,циэлектрический слой 6, области инжектирующих электродов 7 (источйик постоянного магнитного поля не показан), Элемент памяти в режиме программирования работает следующим образом °
„„SU„„ t 472946 А1 плавающим затвором и ультрафиолетовым стиранием и может быть применено для записи информации в ячейку нолупостоянного запоминающего устройства с использованием пониженного напряжения записи. Целью изобретения является уменьшение потребляемой мощности. Поставленная цель достигается за счет введения двух областей инжектирующих электродов, размещенных между областями. плавающего и управляющего затворов с частичным перекрытием их краев, причем области инжектирующих" электродов параллельны области плавающего затвора, 2 ил, 2
На инжектирующие электроды 7 по-. („ дается постоянное напряжение (5-В), вызывающее ток утечки между ними.
Над ячейкой устанавливается источник «май постоянного магнитного поля так, «фь чтобы вектор магнитной индукции В 1 был параллеллен плоскости плавающего затвора. Так как ток утечки представ- и, ляет собой направленное движение
4ь .электронов со средней скоростью V, на них действует сила Лоренца
Ф (17 В1 которая смещает электроны р; плавающему затвору. Плавающий затвор захватывает электроны до тех пор, пока образовавшееся электростатическое поле не достигнет значения, уравновешива10щего действие силы .Лоренца.
Исходное пороговое напряжение запоминающего транзистора 1,8-2,0 В
:(при отсутствии заряда на плавающем
Составитель Л.Амусьева
Редактор Л.Веселовская Техред А.Кравчук Корректор Л,Зайцева
Заказ 1717/50 Тираж 558 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина,101
3 14729 затворе 1 ). Это условно соответствует
"1", и записывать эту информацию не требуется. При наличии заряда на плавающем затворе 1 пороговое напряжение достигает 9 В, что условно соот5 ветствует "0", Прилагаемое напряжение чтения 5 В достаточно для открытия транзистора, имеющего Uë ð 1,8-2,0 В и недоста- 1п точно для открытия транзистора, имеющего И„ р 9 В.
Запись "0" происходит следующим образом.
Исходное облако электронов создается подачей напряжения на инжектирующие электроды 7, Напряжение на электродах невелико - 5 B. Принципиально это напряжение может быть 20 сколь угодно мало, лишь бы создавался ток утечки над плавающим затвором 2. Можно заземлить подложку 3 и подать небольшое (0,05 В) напряжение на управляющий затвор l. 25
46 4
Основную же роль "толкателя", продавливающего электроны к плаваю- . щему затвору, играет магнитное поле.
Формула изобретения
Элемент памяти, содержащий полупроводниковую подложку, в прнповерхностном слое которой размещены стоковая и истоковая области, на поверхности полупроводниковой подложки расположен диэлектрический слой, в котором размещены взаимно перпендикулярные области управляющего и плавающего затворов с частичным перекрытием стоковых и истоковых областей, отличающийся тем," что, с целью уменьшения потребляемой мощности, в элемент памяти введены две области инжектирующих электро. дов, размещенных между областями плавающего и управляющего затворов с частичным перекрытием их краев, причем области иижектирующих электродов параллельны области плавающего затвора.
