Способ приготовления образцов пленок, нанесенных на поверхность кремниевой подложки,для электронно- микроскопических исследований
Изобретение относится к технике приготовления образцов тонких пленок для электронно-микроскопических исследований, в частности пленок, напыленных на кремниевую подложку. Целью изобретения является упрощение и снижение трудоемкости процесса приготовления образцов. Дпя отделения пленки от кремниевой подложки исходньй объект погружают в 30-50%-ный раствор щелочи при 30-80 С и задерживают до полного отделения пленки, которому способствует вьщеление водорода на границе раздела подложка-- пленка. Весь процесс занимает не более 1 ч и не требует.специального оборудования. 1 табл. с /)
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК
А1
„.,80„„1465739
: (51) 4 G 01 N 1/28
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ и А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ
ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ
ПРИ ГННТ СССР (21) 4 223833/24-21 (22) 07. 04.87 (46) 15.03.89. Бюл. ¹ 10 (71) Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов АН СССР . (72) M.Е.Головчанский и В.А.Марченко (53) 621.385.833 (088.8) (56) Техника электронной микроскопии. / Под ред. Кея. — М.: Мир, 1965, с. 125.
Тонкие пленки. Взаимная двффузия и реакции. / Под ред. Дж. Поута и др. — М.: Мир, 1982, с. 144.
Изобретение относится к технологии приготовления тонкопленочных образцов для электронно-микроскопических исследований, в частности, образцов пленок, напыленных на кремниевую подложку.
Цель изобретения — упрощение, и снижение трудоемкости процесса приготовления образцов за счет сокращения продолжительности процесса и исключения специального оборудования.
Сущность способа заключается в том, что исходный объект с пленкой на его поверхности обрабатывают раствором щелочи. Обработку проводят, (54) СПОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ ОБРАЗЦОВ
ПЛЕНОК, НАНЕСЕННЫХ НА ПОВЕРХНОСТЬ
КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКИ, ДЛЯ ЭЛЕКТРОННОМИКРОСКОПИЧЕСКИХ ИССЛЕДОВАНИЙ ,(57) Изобретение относится к технике пригдтовления образцов тонких пленок для электронно-микроскопических исследований, в частности пленок, напыленных на кремниевую подложку.
Целью изобретения является упрощение и снижение трудоемкости процесса приготовления образцов. Для отделения пленки от кремниевой подложки исходный объект погружают в 30-50Х-ный о раствор щелочи при 30-80 С и выдерживают до полного отделения пленки, которому способствует вьщеление водорода на границе раздела подложка-. пленка. Весь процесс занимает не более 1 ч и не требует, специального обор удования . 1 табл .
2 погружая весь объект в 30-50Х-ный раствор щелочи при 30-80 С и вьщеро живают до полного отделения пленки.
При взаимодействии щелочи с кремнием вьщеляется водород. Вьщеление водорода на границе раздела кримниевая подложка — напыпенная пленка приводит к отделению пленки.
Экспериментально установлено, что при концентрации щелочи менее
ЗОБ площадь отделяющихся участков пленки составляет менее 3 мм, что затрудняет процесс закрепления образцов. Оптимальная концентрация щелочи 30-50Х (507-ный раствор при
39 4 ки в дистиллированной воде пленку вылавливают на предметную сеточку и высушивают, после чего образец готов для электронно-микроскопических исследований.
Площадь отделившихся участ1 ков пленки, .мм
Концент рация щелочи
КОН, Ж емя отдения пленТ емпер атура раст вора щелочи, С
Не отделяется "40 60 60
-30
-15
18
18
28
45 (1
31 1 р/ 5
5-20
Отделение по всей площади 3 мм
Отделение по всей площади
° "3 То же
Пленка растворяется
)60
--10
Составитель В.Гаврюшин
Техред П.Сердюкова Корректор М.Максимишинец
Редактор А.Огар
Заказ 936/42 Тираж 788 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101
3 14657 к мнатной температуре является насыщ иным) .
При температуре раствора менее
Зф С увеличивается продолжительность о процесса, а использование раствора с температурой более 80 С приводит к растворению, самой отделяемой пленки.
В таблице приведены результаты р ализации способа приготовления о разцов при различных параметрах п оведения процесса.
Пример. Проводят отделение пренки ниобия (Nb) толщиной 1000 А, ° ° апыленной на кремниевую подложку (100) в 453-ном растворе КОН при
65 С. Время отделения пленки составяет около 5 мин при скорости расторения самой пленки -60-70 K/ìèí. осле отделения с помощью специальой сетки кусочки пленки помещают в истиллированную воду. Свертывания енки не наблюдается. После промыв-
Формула и зобр ет ения
Способ приготовления образцов пленок, нанесенных на поверхность кремниевой подложки, для электронномикроскопических исследований, включающий отделение пленки от подложки путем обработки исходного объекта раствором щелочи и размещение пленки на предметной сетке, î T л и ч а ю шийся тем, что, с целью упроще" ния и снижения трудоемкости процесса приготовления, обработку исходного объекта осуществляют путем erо погружения в 30-50%-ный раствор щелочи и выдержки при 30-80 С до полного о отделения пленки. !