Способ очистки поверхности изделия
Изобретение относится к области микроэлектронной техники и может быть использовано при очистке поверхности металлических и полупроводниковых изделий. Цель изобретения - повышение очистки эффективности и обеспечение очистки поверхности полупроводников. Разряд зажигают между жидким катодом - электролитом и твердым анодом - обрабатываемым изделием, при токе разряда 150 
J 7000 мА, межэлектродном расстоянии I = 1,0 - 1,5 мм и напряжении разряда 5000 
U 100 B. При этом повышается чистота обработки поверхности. 1 ил.
Изобретение относится к области микроэлектронной техники и может быть использовано при очистке поверхности металлических и полупроводниковых изделий. Целью изобретения является повышение качества очистки, упрощение способа и обеспечение очистки полупроводниковых изделий. На чертеже показано устройство для осуществления способа. Устройство содержит анод - обрабатываемое изделие 1 и электролитическую ячейку 2 (катод). Межэлектродное расстояние между ними l = 1,0-1,5 мм. Электролитическая ячейка 2 (катод) заполнена электролитом 3. На дне ячейки 2 находится металлическая пластина 4. Непосредственно к электродам подключен высоковольтный источник питания. Способ осуществляют следующим образом. Зажигают разряд между анодом 1 и катодом 2. Величину тока устанавливают от 150 до 7000 мА. Очистку проводят при атмосферном давлении в течение 60-240 с. Скорость очистки зависит от величины тока разряда и состава электролита. Обязательным условием очистки является поддержание зазора между анодом и катодом l = 1,0-1,5 мм. В случае высоковольтного разряда должен прилипать электролит. В случае низковольтного разряда, разряд горит без прилипания электролита на расстоянии l = =1,0-1,5 мм и происходит очистка поверхности образца. Из анализа полученных результатов следует, что при этом качество очистки повышается. Поверхность полупроводника очищается без использования сложного и неэффективного оборудования. В случае высоковольтного разряда процесс очистки происходит следующим образом. У анода после прилипания электролита разряд горит нестационарно. Когда образуются пузырьки газа, разряд горит, а когда пузырьки исчезают, разряд гаснет. Под действием этих процессов поверхность изделия очищается до структурного уровня. Все это происходит в сложной парогазообразной среде. При l1 мм процесс очистки образца замедляется и ухудшается, при l1,5 мм поверхность анода в случае высоковольтного разряда сгорает.
Формула изобретения
СПОСОБ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ ИЗДЕЛИЯ, заключающийся в зажигании разряда между обрабатываемым изделием и жидким электролитом, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности очистки и обеспечения очистки поверхности полупроводников, на обрабатываемое изделие подают положительный потенциал, устанавливают зазор l между электродами 1,0-1,5 мм и поддерживают разрядный ток 0,15 I A при разрядном напряжении 500 U 1070 B соответственно.РИСУНКИ
Рисунок 1MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе
Номер и год публикации бюллетеня: 10-2002
Извещение опубликовано: 10.04.2002
