Способ деформирования монокристаллов при исследовании их механических свойств
Изобретение относится к исследованиям механических свойств материалов и позволяет повысить точность создания заданной зоны деформации за счет исклзочения влияния захватных частей на деформируемую зону и соседних с деформируемой зоной слоев кристалла . Угол между поверхностями 2 и 5 стоек 1 и пуансона 4 соответственно равен углу между гранями монокристалла 3. Воздействуют поверхностями 5 на смежные грани монокристалла 3. При этом происходит воздействие поверхностей 2 на части других смежных граней, и деформации подвергаются две узкие зоны монокристалла 3. Происходит чистый сдвиг. Шир1«а d деформируемой зоны определяется зазором (L - 1)/2,- где L - расстояние между по-, верхностями 1,1- ширина пуансона 4. 1 ил. с (Л с: 4 00 isd со 00
(51) 4 G 01 N 3/24
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕГ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ,рф + М
<4 ф СОЮЗ С08ЕтсНЙХ
Яй,, " СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
,: Ф, .. : - РЕСПУБЛИК
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ KOMVITET СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 4088240/25-28 (22) 14.07.86 (46) 23.10.88. Бюл. 11 39 (7l) Институт физики АН ГССР (72) M.Â.Ãàëóñòàèïçèëè, Д.Г.Дрияев и З.К.Саралидзе (53) 620.171 (088.8) (56) Иоффе А.Ф. Физика кристаллов .
M-Л.:ГИЗ, 1 929, с. 192. (54) СПОСОБ ДЕФОРМИРОВАНИ МОНОКРИСТАЛЛОВ ПРИ ИССЛЕДОВАНИИ ИХ МЕХАНИЧЕСКИХ СВОйетВ (57) Изобретение относится к исследованиям механических свойств материалов и позволяет повысить точность создания заданной зоны деформации за
„„Я0„„1432383 А 1 счет исключения влияния захватных частей на деформируемую зону и соседних с деформируемой зоной слоев кристалла. Угол между поверхностями 2 и
5 стоек 1 и пуансона 4 соответственно равен углу между гранями монокристалла 3. Воздействуют поверхностями
5 на смежные грани монокристалла 3.
При этом происходит воздействие поверхностей 2 на части других смежных граней, и деформации подвергаются две узкие зоны монокристалла 3. Происходит чистый сдвиг. Ширина d деформиру- емой зоны определяется зазором (L—
Е)/2; где L — расстояние между поверхностями 1, 1 — ширина пуансона 4. у
1 ил.
1432383
Формула изобретения
Составитель A.Грунина
Техред Л. Олийнык Корректор М. Мак симишинец
Редактор О.Головач
Тираж 847
Заказ 5417/35
Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб,, д, 4/5
Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул, Проектная, 4
Изобретение относится к исследованиям механических свойств материалов и может быть использовано для оценки прочности металлов.
Цель изобретения — повышение точности создания заданной зоны деформации за счет исключения влияния захватных частей на деформируемую зону и соседних с деформируемой зоной сло- 1р лил гМ " ев кристалла, а также получения различных сдвиговых напряжений в различных сечениях деформируемой области кристалла.
На чертеже изображено устройство 15 для деформирования ионных монокристаллов с системами скольжения.
Устройство содержит нагружатель, имеющий стойку 1 П-образной опоры с рабочими поверхностями 2, на которых 20 размещены грани кубического монокристалла 3 квадратного сечения. Угол между поверхностями 2 стоек 1 равен
90О, т.е. углу между гранями монокристалла 3. Пуансон 4 имеет рабочие по- 25 верхности 5, образующие между собой также угол 900. Ширина Х пуансона 4 меньше расстояния L между стойками 1.
Способ осуществляют следующим образом. 30
Перемещают пуансон 4, воздействуя им на части смежных граней монокристалла 3, при этом поверхности плотно прижимают к двум противоположным граням монокристалла 7. При действии сжимающего усилия часть монокристал,па 3, прилегающая к пуансону 4, сдвигается относительно части, прилегаю-. щей к стойкам 1. Происходит чистый сдвиг, а деформации подвергаются 40 только две узкие зоны. Ширина и деформируемой зоны определяется величиной зазора (L-1)/2,где L — расстоя-. ние между поверхностями 2, 1 — ширина пуансона
Части кристалла сдвигаются друг относительно друга поплоскостям скольжения и в направлении скольжения. В деформируемой зоне сдвиговое напряжение (.„ неоднородно и определяется по формуле где f <,> — сдвиговое напряжение в сечении х= 0;. а — высота деформируемой зоны в том же сечении.
Способ деформирования монокристаллов при исследовании их механических свойств, заключающийся в том, что к монокристаллу прикладывают усилие сдвига с помощью установленных на расстоянии, равном ширине деформируемой зоны монокристалла, нагружателей, которые перемещают в противоположных направлениях, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью повышения точности создания заданной зоны деформации, используют нагружатели, каждый из которых имеет по две рабочие поверхности, пересекающиеся под углом, равным одному из углов монокристалла, рабочими поверхностями одного из нагружателей воздействуют
На части .смежных граней монокристалла, примыкающие к его противоположным ребрам, а рабочими поверхностями другого нагружателя воздействуют на части противоположных смежных граней, примы- кающие к их общему ребру.

