Способ выборки запоминающего элемента в матричном накопителе на биаксах

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении долговременных запоминаилдих устройств набиаксах. Цель изобретения - расширение области применения способа путем выборки запоминающих элементов в накопителях системы ЗД. В соответЯ , W Ю Д4 ствии с предложенным способом выборку запоминающего элемента в накопителе на биаксах осуществляют следующим образом. Для выборки биакса 1, в который надо записать информацию, в накопителе, состоящем из биаксов 1-16, прошитых по адресным отверстиям группами взаимно ортогональных шин . XI-Х4 и YJ- 3f4, пропускают последовательность из импульсов тока одной полярности по шине XI, а другую последовательность из импульсов противоположной полярности - по шине У1 . В результате в выбранном биаксе формируется последовательность из разнополярных импульсов. Поскольку такая последовательность импульсов формируется лишь в выбранном биаксе, способ может быть использован в накопителях системы ЗД на биаксах. 2 ил. с $ С/; с 4 а

ССНОЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

А1

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21 } 41 961 28j 24-24. (22) 17.1.1.86 (46) 23.07.88. Бюл. У 27 (72} Ю.С.Ермолин (53) 681, 327.66 (088.8) (56) Ефимов И.А. и др. Магнитные элементы ЭВМ. - Сб. М.: Наука, 1969.

Бардиж В.В. Магнитные элементы цифровых вычислительных машин. М.:

Энергия, 1974, с. 106-136. (54) СПОСОБ ВЬБОРКИ ЗАПОМИНА10ЩЕГО

ЭЛЕМЕНТА В МАТРИЧНОМ НАКОПИТЕЛЕ НА

БИАКСАХ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении долговременных запоминающих устройств набиаксах. Цель изобретения - расширение области применения способа путем выборки запоминающих элементов в накопителях системы ЗД, В соответ„Л0„„1411 22

99 4 6 11 С 7/00 ствии с предложенным способом выборку запоминающего элемента в накопителе на биаксах осуществляют следующим образом. Для выборки биакса 1, в который надо записать информацию, в накопителе, состоящем из биаксов

1-16, прошитых по адресным отверстиям группами взаимно ортогональных шин Xl"Х4 и Y)-Y4, пропускают последовательность из импульсов тока одной полярности по шине Xl, а другую последовательность из импульсов противоположной полярности — по шине Уl. В результате в выбранном биаксе формируется последовательность из разнополярных импульсов. Посколь- с ф ку такая последовательность импульсов формируется лишь в выбранном биаксе, способ может быть использован в накопителях системы ЗД на биаксах. C

2 ил.!

4!!822 формулаизобретения

Составитель Ю,Розенталь

Техред M.Äèäûê

Редактор С.Патрушева

Корректор N.Äåè÷èê

Заказ 3665/48 Тираж 590

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Подписное

Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении долговременных запоминающих устройств на би5 аксах.

Цель изобретения — расширение области применения способа путем выборки запоминающих элементов в накопителях системы ЗД. 1О

На фиг. 1 изображена схема прошивки биаксов в накопителе; на фиг.2 временная диаграмма токов.

В соответствии с предложенным способом выборку запоминающего элемен-,15 та в накопителе на биаксах осуществляют следующим образом.

Для выборки биакса 1, в который надо. записать информацию, в накопителе, состоящем из биаксов 1 — 16, 2р прошитых по адресным отверстиям груп пами взаимно ортогональных шин Х!

Х4 и У! — У4, пропускают последовательность из импульсов тока одной .полярности по шине Xl и другую пос- 25 ! ледовательность из импульсов противоI положной полярности по шине Yl. В реэультате в выбранном биаксе. формируется последовательность из разнополярных импульсов (фиг,2). Поскольку такая последовательность импульсов формируется лишь в выбранном биаксе, способ может быть использован в накопителях системы ЗД на биаксах.

Способ выборки запоминающего зле" мента в матричном накопителе на биаксах, прошитых по адресным отверстиям группами взаимоортогональных шин Х и У, основанный на подаче импульсов тока по выбранным шинам Х и Y о т— л и ч а ю шийся тем,что, с целью расширения области применения способа путем выборки запоминающих элементов в накопителях системы ЗД, подачу импульсов тока в выбранные шины Х и

Y осуществляют последовательно пропуская импульс тока одной полярности по шине Х, .а затем импульс тока другой полярности по шине У,