Мощный быстродействующий тиристор

Мощный быстродействующий тиристор на основе p-n-p-n-структуры, содержащий p- и n-эмиттеры, базовые области p- и n-типов проводимости, отличающийся тем, что, с целью повышения нагрузочной способности по току и рабочей частоты за счет увеличения площади структуры и уменьшения ее толщины, базовая область n-типа проводимости со стороны p-эмиттера выполнена с выступами, образующими на поверхности прямоугольную сетку, причем высота h выступа, диаметр b структуры с выступами и и толщина h₀ структуры без выступов связаны следующим соотношением: при ширине выступа d2w_n и расстоянии между выступами 1d, где = S_в/S - отношение площади S_в, занимаемой выступами, к площади S структуры без выступов, w_n - толщина базовой области n-типа проводимости, a - диаметр структуры без выступов.