Способ переключения тиристора с обратной проводимостью
Способ переключения тиристора с обратной проводимостью из прямого блокирующего состояния управляющим импульсом обратного анодного тока с последующим приложением импульса прямого нагрузочного тока, отличающийся тем, что, с целью уменьшения энергии управляющего импульса, перед приложением импульса прямого нагрузочного тока прикладывается дополнительный импульс прямого анодного тока, при этом заряды, вносимые токами управляющего и дополнительного импульсов, удовлетворяют условиям 
Q1 + Q2 = (10 - 15)Qкр, где 
- заряд, вносимый обратным током управляющего импульса; 
- заряд вносимый прямым током дополнительного импульса; Iобр - величина тока управляющего импульса; Iпр - величина тока дополнительного импульса; t1 - длительность управляющего импульса и момент приложения дополнительного импульса; t2 - момент окончания дополнительного импульса; Qкр = qWnNкрS - критический заряд включения тиристора;
q - заряд электрона;
Wn - ширина базовой области тиристора;
Nкр - средняя критическая концентрация неравновесных носителей в базовой n-области, достаточная для включения тиристора;
S - рабочая площадь токоведущего канала тиристора,
а амплитуда тока дополнительного импульса не превышает утроенного номинального значения постоянного анодного тока, коммутируемого тиристором.
Похожие патенты:
Изобретение относится к области конструирования полупроводниковых приборов с p-n-переходами и может быть использовано для изготовления тиристорных структур
Изобретение относится к области конструирования полупроводниковых переключающих приборов, в частности к тиристорам с высокой di/dt стойкостью и нагрузочной способностью
Изобретение относится к двунаправленным переключателям на основе многослойных структур с p-n-переходами и однополярным управлением
Изобретение относится к полупроводниковым приборам, а именно к симметричным тиристорам, представляющим собой интегральный прибор, состоящий из двух встречно-параллельно включенных тиристоров с общим управляющим электродом, и может быть использовано при создании новых типов симметричных тиристоров
Изобретение относится к области электронной техники, в частности к конструированию и технологии изготовления полупроводниковых кремниевых управляемых тиристоров многослойной структуры с тремя электродами, и может быть использовано в электронной промышленности
Изобретение относится к области силовых полупроводниковых элементов
Изобретение относится к области полупроводникового приборостроения
Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники
Изобретение относится к области силовой полупроводниковой технологии
Изобретение относится к области мощных полупроводниковых приборов и может быть использовано при конструировании тиристоров с пониженной амплитудой тока обратного восстановления и увеличенным коэффициентом формы тока обратного восстановления
Изобретение относится к конструкции полупроводниковых приборов с самозащитой от пробоя при перенапряжениях в закрытом состоянии, а именно к конструкции динисторов и тиристоров, в том числе симметричных
Изобретение относится к конструкции полупроводниковых приборов с самозащитой от пробоя в период восстановления запирающих свойств, а именно к конструкции тиристоров, в том числе фототиристоров
