Способ обработки монокристаллов кубической симметрии
Изобретение относится к технологии обработки монокристаллов для нужд приборостроения и позволяет повысить выход изделий с однородными физико-химическими свойствами из монокристаллов , имеющих двойниковые дег фектыо Монокристаллы кубического класса симметрии, содержащие двойники, ориентируют и разрезают по кристаллографическим плоскостям сверхструктуры , занимающим одинаковое положение в матричной и двойниковой частях монокристаллЯо При резке кристаллов кремния, выра ценных вдоль направления С1 И , выход годных приборов увеличивается на 30%, 2 табл С S
СОЮЗ СОВЕТСНИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК (lI1)S С 30 В 33/00
ОПИСАНИЕ ИЗОбРЕТЕНИЯ
К А BTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ
ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ
ПРИ ГКНТ СССР (21) 4008064/31-26 (22) 06.01.86 (46) 15.08.90. Бюл. II - 30 (71) Объединенный институт ядерных исследований (72) Г.И.Доливо-Добровольская, В.Д.Коломенский> В.П.Перелыгин и С.Г.Стеценко (53) 548.55(088.8) (56) Лвторское свидетельетво СССР
Ф 281241, кл. В 28 D 5/00, 1968.
Бонд В.Л.-Технология кристаллов.
M.: Недра, 1980, с.lál †1. (54) СПОСОБ ОБРЛБОТКИ МОНОКРИСТЛПЛОВ IC> БИЧЕСКОЙ СИММЕТРИИ
Изобретение относится к техноло- гии обработки монокристаллов для нужд приборостроения и может быть использовано в областях науки и техники, в которых производится серийное изготовление из монокристаллов р-п-переходов, фильтров, магнитных головок, оптических линз и т.д.
Целью изобретения является повышение выхода изделий с однородными физико-химическими свойствами иэ монокристаллов, имеющих двойниковые дефекты.
Пример 1. Распиливают монокристаллы кремния, удлиненные (выращенные) вдоль оси, 111), В табл,1 приведены координаты плоскостей сверхструктуры для кристаллов кубической симметрии, ориентированных в направлении .111 >> а в табл.2координаты плоскостей сверхструктуры
„„SU„„1365756 А 1
2 (57) Изобретение относится к технологии обработки монокристаллов для нужд приборостроения и позволяет поВысить Выход изделий с однородными физико-химическими свойствами из монокристаллов, имеющих двойниковые де-. фекты, Ионокристаллы кубического класса симметрии, содержащие двойники, ориентируют и разрезают по кристаллографическим плоскостям сверхструкту ры, занимающим одинаковое положение н матричной и двойниковой частях монокристалла. При резке кристаллов кремния, выращенных вдоль направления (111 ), выход годных приборов увеличивается иа 30%, 2 табл. для кристаллов кубической симметрии, ориентированных в направлении (110).
Значения углов с!> и р отсчитываются от положения плоскости (Oll), перперпендикуляр к этой грани соответствует оси Х; осью Y является перпендикуляр к плоскости (211) ось Z совпадает либо с направлением (111)(табл.l) либо с направлением (011)(табл.2), . © !! эти направления соответствуют осям выращивания промышленных монокристал.— лов.Кристаглы устанавливают на станке для юстировки и резки (4) и юстируют по отражениям от гребней, боковую грань (011) совмещают с 0 на горизонтальном лимбе, Верх и них кристалла разрезают по плоскостям (211) с коррдинатами: долгота q = 90, широта О = 19o28>, боковые стороны раз3 !365756 4
Резают по плоскостям (011) с коорди- . тами: долгота q !99 28, широта натами; долгота у 66 00,:широта
1 о
90 00, Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я
Аналогично отъюстировывают и раз- Способ обработки монокристалло
5 в резыот кристаллы, удлиненные по оси кубической симметрии, включающий рас(011), координаты плоскостей сверх- пиливание, отличающийся стуктуры берут из табл,2. тем, что, с целью повышения выхода
Пример 2. Исходный кристалл иэделий с однородными физико-химичесгермания выращен (удлинен) по QQa IO кими свойствами из монокристаллов, (OI1) Координаты для распиловки нод- имеющих двойниковые дефекты, распибирают из табл,2. Верх и низ заготов- ливание проводят по кристаллографически разрезают по плоскостям (211) с ким плоскостям сверхструктуры, заниО координатами: долгота (= 90 GO, ши- мающим одинаковое положение в матрич О ( рота 54 44, боковые грани раэре- 15 ном монокристалле и двойниковом деэают .по плоскостям (113) с координа- фекте, 1
Таблица !
Координаты плоскостей сверхструктуры для всех кристаллов кубического класса симметрии. Ориентация матрицы по. (!11) Координаты
Символы
Номер нлоскости долгота широта
Матрица Двойник!
1 011 011
000001
2 011 011
3 111 lll
4 211 211
5 110 110
6 101 101
7 121 121 . 8 !12 112
9 113 311
1О 131 31!!
11 311 113
12 311 113
13 131 113 !
4 113, 1Ъ
180 00
270О 00
90 00
30 00
I50 00 ! 9а06
160о54
210 00
330 00
120 00
60 00
330 00
210 00
90 00
90 00
70 )2 !
9 28
35 16
35 16
61 53
61 53
29 30
29о 30
58 3!
58 31
79 58
79 58
1365756
Т а б л и ц а 2
Координаты плоскостей сверхструктуры для всех кристаллов кубического класса симметрии. Ориентировка матрицы по <011 о
Номер Символы Координаты
Матрица Двойник долгота широта
00 00 90 00
011
90 00
35 !6
54 44
60 OG
60 00
О!1
1800 ОО
270оОО
90 00
54 44
211
125 16
25 14
154 46
101
12
l 12
144 44
35 16
311
3 l!
l!5 14
64 46
340 32
199 28
244о46
295 !4
I!3! l3
13 131!
1 31
l4 l l 3
15 311
16 311
131
131
П р и м е ч а н и е: Знак "-" в символе имеет принципиальное значение для идентификации конкретной кристаллографической плоскости: так, форма с тремя одинаковымн индексами )I11 составлена восемью гранями — 111, Ills 111» 111, 1 1 1, 1 1, 1 l l 1 1 1, а форма 112 — двадцатью четырьмя, т.к„ может быть
24 перестановками индексов и минусов. Форма (123 составлена 48 гранями, т.к. есть 48 .перестановок I 123) с минусами.
l Ol1
2 Oll
3 111
4 211
5 110 б 101
7 121
8 1!2
9 113
lO 131
I I 311
12 311
73 13
73 13
3l 29
3l 29
90 00
90 00
64 46
64 46
90 00 !
90 00
