Способ контроля толщины покрытия
Изобретение относится к измерительной технике. Целью 13обретения является повышение надежности контроля монослойных тонкопленочных покрытий в процессе их нанесения за счет отсутствия необходимости отделения отраженных электродов от полного тока вторичной эмиссии. Измеряют ток, прошедший в объект контроля до нанесения покрытия и после при облучении объекта контроля электронами энергией до 50 эВ.
СОЮЗ COBETCHHX
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК
А1 (l9) (11) (51)4 G 01 В 15/02
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ
К АBTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3602674/24-28 (22) 21.04.83 (46) 07.10,87, Бюл. к= 37 (71) Институт электроники им.У.А.Арифова (72) М.В.Кремков (53) 531.717.11 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР
У 1055965, кл. G 01 В 15/02, 12.03.82.
Авторское свидетельство СССР
)1- 397748, кл, G 01 В 15/02, 06.04.71. (54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ ТОЛЩИНЫ ПОКРЫТИЯ (57) Иэобретение относится к иэмерительной технике. Целью иэобретения является повышение надежности контроля монослойных тонкопленочных покрытий в процессе их нанесения эа счет отсутствия необходимости отделения отраженных электродов от полного тока вторичной эмиссии. Измеряют ток, прошедший в объект контроля до нанесения покрытия и после при облучении объекта контроля электронами энергией до
50 эВ.
134 1?45 2
15
"<)
Составитель С.Скрыпник
Техред Л.Сердюкова
Корректор М. Демчик
Редактор О.Юрковецкая
3аказ 4635/41 Тираж 676
ВНИИИИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Подписное
Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4
Изобретение отног«тся к измерительной технике, в част«o<>TH к методам и средствам опт<.дел< пия толщины покрытия посредством электронного облучения.
Целью изобретения является повышение надежности контроля монослойных гонкопленочнь<х покрытий в процессе их нанесения эа счет отсутствия необходимости отделения отраженных электронов от полного тока вторичной эмпссии, Способ контропя то. п.<ины покрытий осуществляют г.леду«>«в<>< образом.
Электроны игпугкаются эмиттером, образующийся электронный поток пропускают через .>нергетический монохроматор, например 9<>-гралусный электростатический цилиндрический или сферический конденсатор, уг.коряют до о формированной энергии Е в области
E> - 50 эВ, фокусируют нормально к поверхности или под Н< которым углом оь относительно нормали к поверхности контролируемого образца и регистриру— ют ток электронов, прошедших в образец. Для контроля толщины покрытия
oq«
AIpIр (б (Е ) б (!, р)) =I р < Я(Ер)
При этом, если <>, (F. ) > б< (Е „,), например, при нанесении диэлектрического или адсорбционного газового покрытия на металлическую подложку, происходит уменьшение тока электронов, прошедших 6 образец, с ростом толщины этого покрытия вплоть до образования
<> покрытия со значением C> (E >)=< onst.
Если 5<(Е ) > б (Е ), например, при нанесении металлического покрытия на диэлектрик, происходит увеличение тока >лектронов, прошедших в образец, вплоть до образования покрытия г другим значением <<,(Ер)=<.onst, Изменения
BE
<> в образец с покрытием, T.,<б> (Е ) набP люлаются вплоть до образования покрытия толщиной, на глубину которой могут проникать первичные электроны с о данной энергией Е, Из калибровочной о построенной зависймости I <,g(Е ) как функции толщины d покрытия получают сведения о толщине конкретного нанегенного (d,) покрытия исходя из величины Т<п5 (Е ), соответствующей данной
<>
d . Подбирая оптимальную энергию E в диапазоне F, <50 эВ, можно добиться наибольшей чувствительности способа контроля толщины для той или иной системы веществ образец — покрытие.
Таким образом, подбор энергии пучка первичных моноэнергетических элеко тронов Е с выполнением операций on Г ределения разности I <>(>(Е ) токов эпектронов, прошедших в образец до нанесения покрытия < после, и построения зависимости Iрдб(Е )=f(d), где
d — толщина покрытйя, позволяет упростить способ контроля толщины покрытий, а также повысить его точность и чувствительность в области контроля тол<цины монослойных и домонослойных, в том числе адсорбционных покрытий.
Формул а изобретения
Способ контроля толщины покрытия, заключающийся в том, что объект конт- < роля облучают пучком моноэнергетических электронов и определяют толщину покрытия, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности контроля монослойных тонкопленочных покрытий в процессе их нанесения, облучение производят электронами с энергией до 50 эВ, последовательно измеряют ток, соответствующий потоку электронов, прошедших в объект до нанесения покрытия и после, а толщину покрытия определяют по величине разности измеренных токов,
