Способ получения лазерной среды на основе кристаллов al2o 3
Авторы патента:
Способ получения лазерной среды на основе кристаллов Al2O3 с центрами окраски путем облучения выращенного кристалла потоком быстрых нейтронов с последующей дезактивацией, отличающийся тем, что, с целью увеличения концентрации центров окраски с полосой оптического поглощения в области длин волн 0,74 - 0,95 мкм и снижения оптических потерь в спектральной области генерации 0,92 - 1,15 мкм облучение ведут при плотности потока 1 1018 - 4
1024 нейтрон/см2 и после дезактивации кристалл нагревают до 600 - 830 К с последующим охлаждением.
Похожие патенты:
Способ получения электропроводного алмаза // 1137788
Способ обработки материалов // 1055784
Способ получения легированного кремния // 1005511
Способ получения кристаллов фотохромного // 400137
Способ обработки монокристаллов корунда // 1111515
Патент 273176 // 273176
Изобретение относится к выращиванию искусственных кристаллов (ZnO, SiO2, СаСО3, Al2О3)
Изобретение относится к технологии выращивания из расплавов монокристаллов сапфира методом кристаллизации из расплава
Изобретение относится к технологии выращивания из расплавов монокристаллов сапфира и направлено на совершенствование тепловой защиты системы
Изобретение относится к технологии выращивания из расплавов объемных монокристаллов сапфира и направлено на повышение срока службы элементов конструкции
Изобретение относится к области выращивания монокристаллов из расплавов и может быть использовано для создания устройств для выращивания монокристаллов сапфира