@ -триггер

 

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано при создании цифровых БИС. Цель изобретения - увеличение помехоустойчивости и расширение области применения . Устройство содержит КЗ-триггеры 1 и 2 на инжекционных транзисторах, транзисторы 7,8,9 и 10,11 соответственно первого и второго типа проводимости . Для достижения поставленной цели в устройство введены транзисторы 12 - 15 второго типа проводимости. 1 з.п. ф-лы, 2 ил. 2S (Л со О5 о о « Фu

СОЮЗ COBEf CHHX

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИК

РЕСПУБЛИК (б1) 4 Н 03 К 3/286

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Р J

tp рФ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 4005289/24-21 (22) 07.01.86 (46) 07.06.87, Бюл. № 21 (71) Московский инженерно-физический институт (72) А.В. Алюшин и M.Â. Алюшин (53) 621.374(088.8) (56) Аваев Н.А. и др. Большие интегральные схемы с инжекционным питанием.-М.: Советское радио, 1977, с. 182, рис. 5.15.

Патент США № 4197470, кл. Н 03 К 3/286, 1980.

„„Я0„„1316076 A 1 (54) ТК- ТРИГГЕР (57) Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано при создании цифровых БИС. Цель изобретения — увеличение помехоустойчивости и расширение области применения. Устройство содержит RS-триггеры

1 и 2 на инжекционных транзисторах, транзисторы 7,8,9 и 10,11 соответственно первого и второго типа проводимости. Для достижения поставленной цели в устройство введены транзисторы 12 — 15 второго типа проводимости.

1 з.п ° ф-лы, 2 ил.

1316076

Изобретение относится к импульсной технике, а именно к устройствам с двумя устойчивыми состояниями на логических элементах с инжекционным питанием, и может найти применение 5 при создании цифровых БИС.

Целью изобретения является увеличение помехоустойчивости и расширение области применения IK-триггера °

На фиг. 1 показана принципиальная схема IK-триггера; на фиг. 2 — эскиз топологии IK-триггера в интегральном исполнении на элементах инжекционной логики с питанием от подложки.

IK-триггер содержит RS-триггеры 1 и 2 на с первого по четвертый инжекционных транзисторах 3 — 6 первого типа проводимости, с пятого по седьмой инжекционные транзисторы 7-9 первого типа проводимости с первого по шестой транзисторы 10-15 второго типа проводимости, причем базы транзисторов 10-15 соединены с общей шиной

16, базы транзисторов 3 и 4 соединены соответственно с первым и вторым коллекторами транзистора 7, с коллекторами транзисторов 12 — 15, база тран- . зистора 7 соединена с шиной 17 синхронизации, вторые коллекторы 18 и

19 транзисторов 3 и 4 соединены соот- 30 ветственно с базами транзисторов 5 и 6, с эмиттерами транзисторов 10 и

11, вторые коллекторы 20 и 21 транзисторов 5 и 6 соединены соответственно с выходными шинами 22(Q) и 23 35 (Q), первые коллекторы 24 и 25 тран|эисторов 10 и 11 соединены соответст, венно с эмиттерами транзисторов 12 и

13, с коллекторами транзисторов 8 и 9, дополнительные коллекторы 26 40 и 27 транзисторов 10 и 11 соединены соответственно с базами транзисторов

8 и 9, с эмиттерами транзисторов 14 и 15 и входными шинами 28(I) и 29(К).

IK — триггер работает следующим об- 45 разом.

При T = 1 транзистор 7 открыт, транзисторы 3 и 4 закрыты. Второй

RS-триггер 2 хранит записанную в него ранее информацию. В момент прихода 50 отрицательного фронта импульса синхронизации транзистор 7 закрывается, транзисторы 3 и 4 начинают открываться. В зависимости от соотношения токов заряда баэ транзисторов 3 и 4 55 первым включается один из этих транзисторов и закрывается другой.

Лри 1 = К = 0 транзисторы 8 и 9, 14 и 15 закрыты. Если транзистор 5 открыт до прихода отрицательного ,фронта тактового импульса, ток базы транзистора 4 больше тока базы транзистора 3 эа счет дополнительного тбка, поступающего через открытые транзисторы 10 и 12. Поэтому первым включается транзистор 4, транзистор

3 закрыт. Информация, записанная во второй RS-триггер 2 сохраняется, т.е.

IK-триггер хранит информацию.

При 1 К = 1 включается дополнительная цепь обратной связи через транзисторы 10 и 11,14 и 15.

Важным условием работоспособности

IK-триггера является больший коэффициент передачи по току по петле обратной связи через транзисторы 10 и

11,14 и 15, по сравнению с коэффициентом передачи тока по петле обратной связи через транзисторы 10 и 11, 12 и 13

26 2c w 2< 2у 12

2 15 25 2у 13 где S24, S27 — площадь коллекторов

24-27 транзисторов 10 и 11;

cL2< — с, — коэффициенты передачи по соответствующим коллекторам транзисторов

10 и 11; коэффициенты передачи тока транзисторов 1215 °

Указанное условие может быть выполнено различными технологическими способами, например применением различной геометрии у баэ транзисторов

12-14,10 и 11, применением коллекторов 24 и 26,25 и 27 транзисторов 1О и 11 с различной площадью.

Тогда при I = К = 1 первым включается тот транзистор первой пары, коллектор, которого соединен с базой включенного транзистора второй пары.

Если, например включен транзистор 5, первым включается транзистор 3, транзисторы 4 и 5 выключаются ° Информация, записанная во втором RS-триггере 2, изменяется на противоположную.

При I=1 К=О первым включается транзистор 3 и устанавливает второй

RS-триггер 2 в состояние, соответствующее Q = 1, Q = О.

При I О, К = 1 первым включается транзистор 4 и устанавливает второй

RS-триггер 2 в состояние, соответствующее Q=O, Q1.

1316076

После того, как один из транзисторов первого RS-триггера 1 включится, любые изменения информации на шинах

28 и 29 не приводят к изменению состояний первого и второго RS-тригге5 ров °

Таким образом, предлагаемое устройство выполняет функции IK-триггера, тактируемого по отрицательному фронту сигнала синхронизации. 10

Предлагаемый IK-триггер обладает большей помехоустойчивостью и большей областью применения, так как воспринимает информацию только в момент прихода отрицательного фронта 15 тактового импульса, что позволяет строить на его базе однотактные ре-. гистровые устройства. формула изобретения 20

1. IK-триггер, содержащий два RSтриггера на двух парах инжекционных транзисторов первого типа проводимости с коллекторно-базовыми связями, 25 причем базы первого и второго инжекционных транзисторов первого RS-триггера соединены соответственно с первым и вторым коллекторами пятого инжекционного транзистора, база которо- 30 го соединена с шиной синхронизации, вторые коллекторы первого и второго инжекционных транзисторов первого RSтриггера соединены соответственно с базами третьего и четвертого инжекци- 351 онных транзисторов второго RS-триггера и эмиттерами первого и второго транзисторов второго типа проводимости, базы которых соединены с общей шиной, вторые коллекторы третьего и 40 четвертого инжекционных транзисторов второго RS- триггера соединены соответственно с грямоии инверсной выходными шинами, входные шины I и К соединены соответственно с базами шесто-45 го и седьмого инжекционных транзисторов первого типа проводимости, коллекторы которых соединены соответст венно с первыми коллекторами первого и второго транзисторов второго типа

l проводимости, отличающийся тем, что, с целью увеличения помехоустойчивости и расширения области применения, введены третий, четвертый, пятый и шестой транзисторы второго типа проводимости, базы которых соединены с общей шиной, коллекторы . шестого и седьмого инжекционных транзисторов первого типа проводимости соединены соответственно с эмиттерами третьего и четвертого транзисторов второго типа проводимости, коллекторы которых соединены соответственно с базами второго и первого инжекционных транзисторов первого RS-триггера и коллекторами шестого и пятого транзисторов второго типа проводимости, эмиттеры которых соединены соответственно с выходными шинами К и I и дополнительными коллекторами второго и первого транзисторов второго типа проводимости.

2, IK-триггер по п. 1, о т л и— ч а ю шийся тем. что в случае интегрального исполнения базы третьего и четвертого инжекционных транзисторов второго RS-триггера и соответственно эмиттеры первого и второго транзисторов второго типа проводимости, их первые коллекторы и соответственно эмиттеры третьего и четвертого транзисторов второго типа проводимости, их вторые коллекторы и соответственно эмиттеры пятого и шестого транзисторов второго типа проводимости, базы шестого и седьмого инжекционных транзисторов первого типа проводимости, базы первого и второго инжекционных транзисторов первого RS-триггера и соответственно коллекторы пятого и шестого транзисторов, четвертого и третьего транзисторов второго типа проводимости выполнены в виде единых областей полупроводника.

1116076

Ти

Фиг 2

Составитель А, Янов

Редактор Н. Лазаренко . Техред И.Попович Корректор М. Демчик

Заказ 2372/56 Тираж 901 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва; Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, v:t. и"""" я. 4