Способ обработки стеклообразного селена
Изобретение относится к способам обработки стеклообразного селена в процессе его получения или эксплуатации и хранения элементов, изготовленных из него. В процессе обработки магнитным полем напряженностью 250- 700 Э увеличивается индукционное время спонтанной кристаллизации стеклообразного селена. Максимальное замедление спонтанной кристаллизации состаг.ляет 9,4 года, без магнитной обработки 1,1 года. Способ позволяет упрос тить и удешевить процесс замедления спонтанной кристаллизации стеклообразного селена. 1 табл. с б (Л ОС ас
СОЮЗ COBETCHHX
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК (51 4 С 30 В 23/00 29/02
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К ABTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР
flO ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3979067/31-26 (22) 25. 11.85 (46) 07.04.87. Бюл. и 13 (71) Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова (72) С.А. Дембовский, Е.А. Чечеткина, В.Г. Подкопаев и Л.М. Илизаров (53) 621.315.592(088.8) (56) Mittels М., Sherrit F.À. Radiation Damage in Glass structures.
Phys. Rev., 1954, ч. 93, р. 1117.
„,ЯЦ„„1301878 А1 (54) СПОСОБ ОБРАБОТКИ СТЕКЛООБРАЗНОГО
СЕЛЕНА (57) Изобретение относится к способам обработки стеклообразного селена в процессе его получения или эксплуатации и хранения элементов, изготовленных из него. В процессе обработки магнитным полем напряженностью 250700 Э увеличивается индукционное время спонтанной кристаллизации стеклообразного селена. Максимальное замедление спонтанной кристаллизации состав.ляет 9,4 года, без магнитной обработки 1,1 года. Способ позволяет упростить и удещевить процесс замедления спонтанной кристаллизации стеклое образного селена. 1 табл.
13018
При Напряженность мер поля при эксплуатации и хранении, Э
Индукционное время кристаллизации стеклообразного селена при комнатной температуре, r. при напряжении магнитного поля при закалке, Э
0 200 250 470 700 750, 900 а Ь д
1,1 1,1 1,5
1,1 1,1 7,3
8,5 8,7 8,9
9,0 9,1 9,2
91 91 93
91 91 93
200
250
9,1
9,3
470
9,3
700
9,4
9,4
9,4
9,4
750
919193
9,4
900!
Изобретение относится к способам обработки стеклообразного селена в процессе его получения или эксплуатации и хранения элементов, изготовленных из него, и может найти применение 5 в электрографии и других областях полупроводниковой техники, где используются элементы приборов нз стеклообразного селена.
Целью изобретения является упроще- 1О ние и удешевление процесса, а также уменьшение спонтанной кристаллизации стеклообразного селена.
Пример. Для получения стеклообразного селена исходный селен крис- 1 таллический или содержащий кристаллические включения помещают в кварцевую ампулу, которую вакуумируют и отпаивают. Затем материал нагревают выше температуры плавления и подвергают 20 охлаждению (закалке) в магнитном поле, создаваемом электромагнитом объемом 70 см, напряженностью 470 Э со скоростью 1 град/с до затвердения
25 стеклообразного селена, который в процессе закалки подвергают обработке в магнитном поле напряженностью
250-700 Э, составляет 1,5"-2 года (пример 1S, и д ) при отсутствии последующей обработки в процессе эксплуатации и хранения. Т; стекло- 1 образного селена, не подвергнутого обработке магнитным полем в процессе
78 2 о (до 30 С) . IIpH ATOM доля KpHCTBJIJ1H ческой фазы в затвердевшем стеклообразном селене ниже чем 10 . При охлаждении без магнитной обработки доля кристаллической фазы в стеклообразном селене в указанных условиях составляет 10, что соответствует большему количеству центров, способных в дальнейшем вызвать спонтанную кристаллизацию стекла °
В таблице приведены результаты исследований;
Индукционное время кристаллизации (c ) стеклообразного селена при ком1 натной температуре после охлаждения в магнитном поле напряженностью 470 Э составляет 2 года (пример 1 ъ) .
Далее изготавливают элементы прибора из стеклообразного селена,обработанного предлагаемым способом, помещают на время эксплуатации в магнитное поле напряженностью 470 Э и стеклообразного селена увеличивают до 9,3 года (пример 4г).
2 2
7,9 8
9,0 9,1
9,3 9,3
9,4 9,4
9,4 9,4
9,4 9,4 закалки, но подвергнутого процессу эксплуатации или хранения, составляет
8,5-9,1 г. (примеры Зо, 4а и 5а) .
Максимальное замедление спонтанной кристаллизации стеклообразног0 селена достигают при закалке и последующей эксплуатации и хранении при помещении в магнитное поле, напряженностью в 700 Э (пример 5 ).
3 1301878
Формул а и з о бр е те н и я
Составитель А. Полозников
Техред М. Ходанич Корректор М, Самборская
Редактор И. Шулла
Заказ 1195/28 Тираж 370 Подписное
ВНИИПИ Государстввнного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Производственно-полиграфическое предприятие, r ° Ужгород, ул. Проектная, 4
Способ обработки стеклообразного селена, включающий охлаждение расплавленного исходного селена и после- 5 дующее физическое воздействие на полученный материал, о т л и ч а ю—
4 шийся тем, что, с целью упрощения и удешевления процесса, а также уменьшения спонтанной кристаллизации стеклообразного селена;. расплав при охлаждении и/или полученный стеклообразный селен помещают в магнитное поле напряженностью 250-700 Э.
