Способ очистки полупроводниковых пластин
Изобретение относится к микроэлектронике и позволяет повысить качество очистки за счет исключения ресорбции загрязнений на очищенные пластины при одновременной интенсификации процесса и снижения его себестоимости. Процесс осуществляют следующим образом. В промывочную ванну помещают полупроводниковые пластины, куда потоком с расходом 250 л/ч снизу подают деионизованную воду. Подачу азота осуществляют через поток деионизованной воды под давлением 0,2- 1,0 кг/см . При этом образуется защитная азотная подущка над поверхностью ванны и создается нестабилизированный турбулент- Щ ный поток. 2 табл. (Л
COl03 СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК (50 4 В 08 В 308
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АBTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3871143I28-12 (22) 05.02.85 (46) 23.01.87. Бюл. № 3 (71) Ленинградское производственное объединение «Электронприбор» (72) Ж. Я. Гребельская, С. П. Суровый и В. С. Зубарев (53) 681.41.02 (088.8) (56) Борисенко А. С. и др. Технология и оборудование для производства м икроэлектронных устройств. — М.; Машиностроение !
983, с. 129 — 131.
Березин М. И. Оборудование и технология очистки деталей и узлов. Обзоры по электронной технике. вып. 24. М., институт
«Электроника», 1970, с. 35 — 37.
„„SU„„1284612 1 (54) СПОСОБ ОЧИСТКИ ПОЛУПРОВОД.
НИКОВЪ|Х ПЛАСТИН (57) Изобретение относится к микроэлектронике и позволяет повысить качество очистки за счет исключения ресорбции загрязнений на очищенные пластины при одновременной интенсификации процесса и снижения его себестоимости. Процесс осуществляют следующим образом. В промывочную ванну помещают полупроводниковые пластины, куда потоком с расходом
250 л)ч снизу подают деионизованную воду.
Подачу азота осуществляют через поток деионизованной воды под давлением 0,2—
1,0 кг/смз. При этом образуется защитная азотная подушка над поверхностью ванны и создается нестабилизированный турбулент- ф ный поток. 2 табл.
1284612
Продолжение табл. 1
4,3
0,8
4,0
1,0
Таблица1
6,0
0,2
0,4
5,0
Показатели очистки
Способ
Известный
Время очистки, мин
16
0,56
0,00
18-20
2 — 4
Стерильно
Изобретение относится к способу очистки полупроводниковых пластин и может быть использовано в микроэлектронике.
Цель изобретения — повышение качества очистки за счет исключения ресорбции загрязнений на очищенные пластины при одновременной интенсификации процесса и снижении его себестоимости.
Примеры 1 — 4. В промывочную ванну помещают пластины для Очистки. Деионизованную воду подают в ванну через трубопровод снизу ванны потоком и расходом деионизованной воды 250 г/ч, а слив воды осуществляют через сливное отверстие. 15
Подачу азота осуществляют через газовый коллектор под давлением 0,2 — 1,0 кг/смз через поток деионизованной воды. Давление и время по примерам сведены в табл. 1.
Пример Давление, Время отмывKI /ñì ки, мин
Объем использованной деионизованной воды, л
Удельное сопротивление деионизованной воды на выходе процесса, МОм
Перманганатная окисляемость деионизованной воды после отмывки (в пересчете на 0 ), мг/л
Микрочастицы, шт/мл
Микроорганизмы, кол/мл
Стоимость отмывки 20-ти пластин, руб
) 2 (3
Пузырьки азота, проходя через деионизованную воду, создают нестабилизированный турбулентный поток. Этот поток позволяет избежать появления застойных и водоворотных зон.
Парциальное давление кислорода и углекислого газа в пузырьках азота меньше, чем в воде, вследствие чего деионизованная вода освобождается от растворенных в ней кислорода и углекислого газа, которые неблагоприятно влияют на поверхность кремния и алюминия на пластине.
Пройдя через поток деионизованной воды, пузырьки азота образуют инертную подушку из азота, служащую чистой крышкой для ванны и предохраняющую деиозизованную воду от контакта с грязной атмосферой. Таким образом, барботаж азотом или другим инертным газом деионизованной воды создает турбулентный поток, который уничтожает пограничный слой, и, создавая эффект флотации, повышает скорость и улучшает качество отмывки.
Сравнительные данные контроля качества отмывки плоскопараллельных пластин в деионизованной воде приведены в табл. 2.
Таблица 2
1284612
Формула изобретения
Составитель В. Шиманская
Редактор М. Бланар Техред И. Верес Корректор A. Обручар
Заказ 7486/8 Тираж 564 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, ж — 35, Раушская наб., д. 4/5
Г1роизводственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4
Способ очистки полупроводниковых пластин путем их обработки в промывочной ванне деионизованной водой с подачей в нее инертного газа для создания турбулентного режима, отличающийся тем, что, с целью повышения качества очистки за счет исключения ресорбции загрязнений на очищенные пластины при одновременной интенсификации процесса и снижении его себестоимости, очистку ведут путем создания нестабилизированного турбулентного потока и защитной инертной подушки над поверхностью ванны за счет подачи инертного газа под давлением 0,2 — 1,0 кг/смв через поток деионизованной воды с расходом
250 л/ч.
