Способ определения униполярности сегнетоэлектрических кристаллов
Изобретение относится к измерительной технике. Цель изобретения расширение класса исследуемых сегнетоэлектрич. кристаллов. Для определения интенсивностей собственного электромагн, излучения при различной ориентации доменов вдоль сегнетоэлектрич. направления кристалла прикладывают квазистапионарное электрич. поле одного направления, а затем др., по амплитуде не меньше коэрцитивного . По величине отношения интенсивностей определяют степень униполярности и знак преимущественного направления поляризации, к-рый соответствует направлению 1-го из приложенных , квазистационарных электрич. полей при отношении интенсивностей больше 0,5 и 2-го при отношении интенсивностей меньше 0,5. ё (Л G to j О) со 05 ел
СОЮЗ СОВЕТСНИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ
РЕСПУБЛИК, SU„„1276965
А1 (5D 4 С О1 М 22/00
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Н АBTOPCKOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И OTHPblTHA (21) 3835634/24-09 (22) 27.12.84 (46) 15.12.86. Бюл. Кр 46 (71) Львовский ордена Ленина государственный университет им,Ив.Франко (72) M.À.Вацеба, Б.П.Клим, Н.А.Pо-. маиюк и Р,Ф.Федорив (53) 621.317 (088,8) (56) Лайнс М., Гласс А. Сегнетозлектрики и родственные им материалы. Мир, 1981, с.126-128.
Романюк Н.A. Желудев И.С.Кристаллография, 1960, с.403-408. (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ УНИПОЛЯРНОСТИ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КРИСТАЛЛОВ (57) Изобретение относится к измерительной технике. Цель изобретения расширение класса исследуемых сегнетоэлектрич. кристаллов, Для определения интенсивностей собственного электромагн. излучения при различной ориентации доменов вдоль сегнетоэлектрич. направления кристалла прикладывают квазистационарное электрич. поле одного направления, а затем др., по амплитуде не меньше коэрцитивного. По величине отношения интенсивностей определяют степень униполярности и знак преимущественного направления поляризации, к-рый соответствует направлению 1-ro из приложенных квазистационарных электрич. полей при отношении интенсивностей больше 0 5 и 2-го при отношении интенсивностей меньше 0,5.
1276965
Составитель Е.Адамова
Техред А.Кравчук Корректор О.Луговая
Редактор В.Ковтун
Заказ 6659/35 Тираж 778 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, И-35, Раушская наб,, д.4/5
Производственно-полиграфическое предприятие, г.ужгород, ул.Проектная,4
Изобретение относится к измерительной технике, а именно к способам определения степени и знака преимущественного направления поляризации (уииполярности) в сегнетоэлектрических кристаллах, и может быть использовано в пирометрии.
Цель изобретения — расширение класса исследуемых сегнетоэлектрических кристаллов.
Способ определения униполярности сегнетоэлектрических кристаллов заключается в следующем.
Прикладывают вдоль сегнетоэлектрического направления сегнетоэлектрических кристаллов квазистационарное электрическое поле одного направления, регистрируют интенсивность собственного электромагнитного излучения, возникающего при переполяриэации всех доменов, ориентированных противоположно приложенному квазистационарному электрическому полю, затем изменяют направление квазистационарного электрического поля, регистрируют интенсивность собственного электромагнитного излучения, возникающего при переполяризации всех доменов и по величине отношения первого сигнала к второму определяют степень униполярности и знак преимущественного направления поляризации, который соответствует направлению первого из приложенных кваэистациоиарных электрических полей при отношении интенсивностей собственного электромагнитного излучения при различной ориентации доменов больше 0,5X и второго — при отношении интенсивностей собственного электромагнитного излучения при различной ориентации доменов меньше 0,57.
Способ определения униполярности сегнетоэлектрических кристаллов позволяет определить степень и знак униполярности в сегнето5 электрических кристаллах независимо от оптической различимости их доменной структуры.
Формула изобретения
Способ определения униполярности сегнетоэлектрических кристаллов, заключающийся в определении отноше15 ния собственного электромагнитного излучения при различной ориентации доменов, отличающийся тем, что, с. целью расширения класса исследуемых сегнетоэлектрических
20 кристаллов, для определения интенсивностей собственного электромагнитного излучения при различной ориентации доменов, вдоль сегнетоэлектрического направления кристалла прикладывают квазистационарное электрическое поле одного направления, а затем другого, по амплитуде не меньше коэрцитивного, и по величине отношения интенсивностей собственного электромагнитного излучения при раз30 личной ориентации доменов определяют степень униполярности и знак преимущественного направления поляризации, который соответствует направлению первого из приложенных квази>5 стационарных электрических полей при отношении интенсивностей собственного электромагнитного излучения при различной ориентации доменов больше
0,5, и второго — при отношении интенсивностей собственного электромагнитного излучения при различной ориентации доменов меньше 0 5.
