Способ обработки диэлектрических низкотемпературных пленок двуокиси кремния
Способ обработки диэлектрических низкотемпературных пленок двуокиси кремния, полученных осаждением из газовой фазы, включающий отжиг при температуре роста пленки, не допуская контакта пленок с парами воды от начала отжига, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа при одновременном повышении качества, пленки облучают ионами дозой 5 
- 1014 - 1016 cv-2 на глубину от 100 
до h/2, где h - толщина пленки, не допуская контакта пленок с парами воды до конца ионного облучения.
Похожие патенты:
Способ изготовления интегральных схем // 1223784
Способ обработки индиевых столбов // 1220512
Изобретение относится к разделу технической физики и может быть использовано при имплантации ионов в различные материалы в технологии изготовления полупроводниковых приборов, например детекторов излучения, светодиодов, интегральных схем, а также для нанесения защитных покрытий на материалы и изделия
Способ изготовления диодов шоттки // 1217182
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления интегральных схем с пристеночными p-n-переходами
Способ изготовления варикапов // 1204083
Способ изготовления мдп-транзисторов // 1176777
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления МДП-БИС
Изобретение относится к области электричества, а более конкретно к технологии изготовления биполярных полупроводниковых приборов: диодов, тиристоров, транзисторов
Способ обработки лавинных диодов // 2100872
Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а более конкретно к методам радиационно-термической обработки диодов, работающих на участке пробоя вольтамперной характеристики, и может быть использовано в производстве кремниевых стабилитронов, лавинных вентилей, ограничителей напряжения и т.п
Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Способ легирования полупроводниковых пластин // 2111575
Изобретение относится к технике, связанной с процессами легирования и диффузии примесей в полупроводники и металлы, а именно к способам диффузионного перераспределения примеси с поверхности по глубине полупроводниковых пластин путем обработки в потоке электронного пучка, и может быть использовано в пространстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
Изобретение относится к устройствам для удаления нежелательных поверхностных примесей с плоской или имеющей нерегулярную форму поверхности подложки 12 высокоэнергетическим излучением
Способ формирования проводящей структуры // 2129320
Изобретение относится к технологии создания сложных проводящих структур с помощью потока заряженных частиц и может быть использовано в микроэлектронике для создания сверхминиатюрных приборов, интегральных схем, запоминающих устройств и оптических элементов
Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии изготовления дискретных приборов и интегральных схем для очистки (геттерирования) исходных подложек и структур на основе монокристаллического кремния от фоновых примесей и дефектов
Изобретение относится к методам формирования твердотельных наноструктур, в частности полупроводниковых и оптических, и может быть использовано при создании приборов нового поколения в микроэлектронике, а также в оптическом приборостроении
