Способ изготовления мдп-транзисторов

 

(19)SU(11)1176777(13)A1(51)  МПК ⁶    _H01L21/268(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина:

(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления МДП-БИС. Цель изобретения упрощение технологии и повышение точности подгонки. П р и м е р. Для отработки способа была изготовлена опытная партия МДП транзисторов с N-каналом. Опытные образцы были выполнены в виде N-канальных МДП-БИС по стандартной технологии с начальным пороговым напряжением U_o до 1,8 0,3 В. После формирования Al разводки на тестовом транзисторе МДП-БИС при помощи 3-х зондовой установки проводился первичный контроль начального порогового напряжения U_o. Затем структура облучалась на установке РУМ 17 рентгеновскими лучами с энергией рентгеновских квантов 20, 80 и 200 кэВ. Доза рассчитывалась исходя из необходимого U с контролем полученного порогового напряжения. U_n 0,6 В. Для стабилизации параметров полученных приборов производился кратковременный отжиг (10-15 мин) при температуре порядка 200^оС. Последующие испытания с наложением рабочих напряжений на электроды прибора и с дополнительным длительным нагревом (до 500 ч при температуре 80-100^оС) показали стабильную работу изготовленных на основе МДП транзисторов БИС.

Формула изобретения

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ, включающий формирование на кремниевой подложке областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, формирование металлической разводки и подгонки порогового напряжения, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и повышения точности подгонки, подгонку порогового наряжения производят после формирования металлической разводки путем облучения структуры рентгеновским излучением дозой

где D доза облучения, Р;
E₃ ширина запрещенной зоны диэлектрика, эВ;
относительная диэлектрическая проницаемость диэлектрика;
m массовый коэффициент поглощения диэлектрика, см²/г;
r плотность диэлектрика, г/см³;
d толщина диэлектрика, см;
DU величина подгонки порогового напряжения, В;
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучение производят при энергии рентгеновских квантов 20-200 кэВ.