Эмиттеры электронов, выполненные на основе монокристаллов полярных диэлектриков (окислов металлов mgo, аl2о3, sio2 и др.) с введенными в них донорными примесями, обладающих малым (порядка 0,1 и меньше) отношением электронного сродства к ширине запрещенной зоны
№ 129753
Класс 21g, 13вз
СССР
ОПИСАНИЕ ИЗОБ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Подписная группа ЛБ 97
М. И. Елинсон и A. Г. Ждан
ЭМИТТЕРЫ ЭЛЕКТРОНОВ, ВЫПОЛНЕННЫЕ НА ОСНОВЕ
МОНОКРИСТАЛЛОВ ПОЛЯРНЫХ ДИЭЛЕКТРИКОВ (ОКИСЛОВ
МЕТАЛЛОВ Mgo, AI О,, S102 и др.) С ВВЕДЕННЫМИ В НИХ
ДОНОРНЫМИ ПРИМЕСЯМИ, ОБЛАДАЮЩИХ МАЛЫМ (ПОРЯДКА Р,1 и МЕНЪШЕ) ОТНОШЕНИЕМ ЭЛЕКТРОННОГО
СРОДСТВА К ШИРИНЕ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ
Заявлено 27 апреля 1959 r. за Хе 626528/26 в Комитет по делам изобретении и открытий при Совете Министров СССР
Опубликовано в «Бюллетене изобретений» М 13 за 1960 r.
При наложении на эмиттер достаточно сильного внутреннего электрического поля, вследствие ускорения электронов, температура эле;.тронного газа оказывается выше температуры решетки и достаточноч для интенсивной эмиссии. «Перегретая» электронная эмиссия наблюдалась на монокристаллах п-кремния, но вследствие большого электронного сродства у этих кристаллов и малой ширины запретной зоны, треоовалось охлаждение — 70 К.
Предлагается в качестве эмиттера взять диэлектрик, у которо"электронное сродство, а следовательно, и энергия выхода малы, в то .время как ширина запретной зоны велика, и затруднены ударная ионизация и пробой. Такими свойствами обладают кристаллы с ионной связью (например, MgO, А1 0з, SiOg и др). С введенными в них донорнымп примесями они позволяют получить интенсивную «перегретую» эмиссии> уже пр и ком н атной тем пер атуре.
Предмет изобретения
Применение эмиттеров электронов, выполненных на основе монокристаллов полярных диэлектриков (окислов металлов MgO, А1,0-., SiO ,и др.) с введенными в них донорными примесями, обладающих малы» (порядка 0,1 и меньше) отношением электронного сродства к ширине запрещенной зоны, для получения электронной эмиссии, вследствие перегрева электронного газа при наложении на однородные кристаллы эмиттеров электрического поля.
