Способ получения электронно-дырочных структур в полупроводниковом материале

 

1. Способ получения электронно-дырочных структур в полупроводниковом материале путем воздействия импульсного лазерного излучения в режиме свободной генерации, отличающийся тем, что, с целью получения структур с вытянутой в глубину образца, по крайней мере, одной из областей с повышенной по отношению к исходной концентрацией свободных носителей заряда, лазерное воздействие осуществляют с плотностью мощности от величины, вызывающей образование кратера, до величины, меньшей образования сквозного отверстия в обрабатываемом материале.

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью получения n⁺-p-n⁺-структур в антимониде индия, лазерное воздействие осуществляют с плотностью мощности от 90 до 6 МВт/см² при длительности импульса от 8 10^-3 до 0,5 10^-3 с соответственно.

3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью получения n⁺-i-n⁺-структур в кремнии, лазерное воздействие осуществляют с плотностью мощности от 1,7 до 45 МВт/см² при длительности импульса от 8 10^-3 до 0,5 10^-3 с соответственно.