Устройство задержки

 

Т.. УСТРОЙСТВО ЗАДЕРЖКИ, с держащее первый и втор.ой транзисто эмиттеры которых объединены и чере генератор тока соединены с первой |шиной источника питания, база пер вого транзистора соединена с входной шиной, база второго транзистор через первый резистор соединена с первой шиной источника питания, а , - Коллектор второго транзистора - с ходной иганой и через второй резистор соединен с второй шиной источника питания , третий резистор, один вьюод которого соединен с второй шиной источника питания, отличающееся тем, что, с целью повышения быстродействия устройства и расширения диапазона регулирования времени задержки, в него введены четвертьй и пятый резисторы и переменный резистор, при этом база первого транзистора соединена через четвертый резистор с первой пшной источника питания , коллектор первого транзистора соединен с вторым выводом третьего резистора и через переменный резистор - с базой второго транзистора, а коллектор второго транзистора через пятый резистор соединен с базой первого транзистора.

5 7 А

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (1 9) ())) (5!)4 Н 03 К 5/13

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЬП ИЙ (21) 3544134/24-21 (22) 21. 01. 83 (46) 30.07.85. Бюл. Ф 28 (72) В.П.Баховцев и В.В.Скорый (53) 621. 374. 5(088. 8) (56) 1. Авторское свидетельство СССР.

В 363194, кл. И 03 К 5/13, 1971.

2. Патент Великобритании

В 2017442, кл. Н 03 К 5/04, 1965. (54}(57) 1. УСТРОЙСТВО ЗАДКРЖКИ, содержащее первый и второй транзисторы, эмиттеры которых объединены и через .генератор тока соединены с первой шиной источника питания, база пер.вого транзистора соединена с входной шиной, база второго транзистора через первый резистор соединена с иеувой шиной источника питания, а коллектор второго транзистора — с выходной шиной и через второй резистор соединен с второй. шиной источника питания, третий резистор, один вывод которого соединен с второй шиной источника питания, о т л и ч а ю щ е— е с я тем, что, с целью повьппения быстродействия устройства и расширения диапазона регулирования времени задержки, в него введены четвертый и пятый резисторы и переменный резистор, при этом база первого транзистора соединена через четвертый резистор с первой шиной источника питания, коллектор первого транзистора соединен с вторым выводом третьего резистора и через переменный резистор — с базой второго транзистора, а коллектор второго транзистора через пятый резистор соединен с базой первого транзистора.

ФЕ

1170597

2. Устройство по. п. 1, о т л и— ч а ю щ е е с я тем, что генератор тока выполнен на третьем и четвертом транзисторах, базы которых объединены и соединены с коллектором четвертого транзистора, подключенноИзобретение относится к импульсной техиике и может быгь использовано в устройствах MC диапазона.

Известно устройство задержки, позволяющее на выходе получать импуль- с сы с короткими фронтами (3-5 нс), регулировка времени задержки в котором осуществляется переменным резис-! тором, содержащее релаксатор на транзисторе с туннельным диодом в эмиттерной цепи и бистабильную туннельно-диопную ячейку с транзистором сброса, база которого через резистор соединена с эмиттером транзистора релаксатора, а база транзистора уп релаксатора соединена через переменный резистор с шиной питания и через разделительный диод — с выходом бистабильной туннельно-диодной ячейки (1) .

Недостатками данного устройства являются высокая критичность к соотношению амплитуды входных импульсов и напряжению „питания, что обуславливается необходимостью уравнивания напряжений на аноде и катоде разделительного диода; низкая амплитуда выходных импульсов (0,4 В), так как они снимаются непосредственно с туннельного диода. Для большинства устройств такой амплитуды выходных импульсов недостаточно. Поэтому для усиления задержанных импульсов должен быть использован дополнительный широкополосный усилитель, что, в

35 свою очередь, значительно усложняет устройство задержки.

Наиболее близким к предлагаемому является устройство задержки, со40 держащее первый и второй транзисторы, эмиттеры которых объединены и через генератор тока подключены к первой шине источника питания. База перго через шестой. резистор к второй.. шине источника питания, эмиттеры третьего и четвертого транзисторов объединены и являются выходом генератора тока, а коллектор третьего транзистора — входом генератора тока. вого транзистора соединена с источником опорного напряжения, а база второго транзистора — с входной шиной. Коллектор первого транзистора соединен с выходной шиной и через резистор — со второй шиной источника ,питания. Коллектор второго транзисто" ра подключен к второй шине источника питания (2).

Недостатками известного устройства являются низкое быстродействие, npul водящее к затягиванию фронтов выходных импульсов за счет интегрирования тока генератора тока конденсатором, шунтирующим базо-коллекторный переход транзистора генератора тока; высокое нулевое время задержки, которое не позволяет осуществлять зедержку коротких входных импульсов и ограничивает диапазон регулирования времени задержки.

Цель изобретения — повьппение быстродействия устройства и расширение диапазона регулирования времени задержки.

Поставленная цель достигается тем, что в устройство задержки, содержащее первый и второй транзисторы эмиттеры которых объединены и через генератор тока соединены с пер вой шиной источника питания, база первого транзистора соединена с входной шиной, база второго транзистора через первый резистор соединена с первой шиной источника питания, а коллектор второго транзистора — с выходной шиной и через второй резис; тор соединен с второй шиной источника питания, третий резистор, один из выводов которого соединен с второй, шиной источника питания, введены четвертый и пятый резисторы и переменный резистор, при этом база первого транзистора соединена через четвертый

Составитель В.Пятецкий

Редактор И.Касарда Техред Л.Микеш Корректор М. Пожо Заказ 4714/53 . Тираж 872 . Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул.Проектная, 4 з 117 резистор с первой шиной источника пи-. тания, коллектор первого транзистора соединен с вторым выводом третьего резистора и через переменный резистор — с базой второго транзистора, а коллектор второго транзистора через пятый резистор соединен с базой первого транзистора.

Генератор тока выполнен на третьем и четвертом транзисторах, базы 10 которых объединены и соединены с коколлектором четвертого транзистора, подключенного через шестой резистор к второй шине источника питания, эмиттеры третьего и четвертого тран- 15 зисторов объединены и являются выходом генератора тока, а коллектор третьего транзистора — входом генератора тока.

На чертеже представлена схема 20 устройства.

Устройство задержки содержит два биполярных транзистора 1 и 2, эмиттеры которых объединены и через генератор 3 тока соединены с первой 25 шиной источника питания. Коллекторы транзисторов 1 и 2 через третий 4 и второй 5 резисторы соединены с второй шиной источника питания.

Каждый транзистор охвачен положи- Зб тельной обратной связью через пятый

6 и переменный 7 транзисторы. Базы транзисторов через четвертый 8 и

: первый 9 резисторы соединены с первой: шиной источника питания. Генератор

3 тока выполнен на биполярных согласованных транзисторах 10 и 11, базы которых соединены. Коллектор тран-. ° зистора 11 соединен со второй базой и через шестой резистор 12 подключен к второй шине источника.

Устройство работает следующим образом.

При подаче напряжения на шине питания. транзистор I запирается, а 45 транзистор 2 открывается и насыщается. Это достигается соотношением резисторов 4 и 5 в цепях коллекторов транзисторов 1 и 2 и соотношением

0597 4 резисторов 6-9 в цепях положительной обратной связи транзисторов. Ток генератора тока задается резистором

12 такой величины, что он эначитель но превышает ток насыщения транзистоВ ра 2 ° При - подаче, положительного входного импульса на базу транзистора 1 он начинает открываться, а на его коллекторе формируется отрицательный перепад напряжения, который по цепи обратной связи подается на базу транзистора 2. Но до тех пор, пока транзистор 2 находится в режиме, насыщения и не обладает усилительными свойствами, изменение напряжения на его базе не вызывает изменения напряжения на его коллекторе .

Время задержки устройства определяется моментом окончания рассеивания неосновных носителей в базе транзистора 2 ° Время рассеивания носителей в базе транзистора 2 тем больше, чем больше степень насыщения транзистора 2, которая регулируется величиной сопротивления переменного резистора 7. С уменьшением последнего она возрастает. По окончании процесса рассеивания носителей транзистор 2 начинает работать в активом режиме. Действие положительной обратной- связи приводит к развитию лавинообразного процесса в результате которого транзистор 2 закрывается, и на его коллекторе формируется положительный фронт задержанного импульса. Скорость процесса определяется глубиной положительной обратной связи.

Использование предлагаемого устройства задержки повышает быстродействие за счет увеличения длительности фронтов выходных импульсов; уменьшает нулевое время задержки; расширяет диапазон регулирования задержки выходных импульсов; исключает использование формирователя HM пульсов на выходе устройства задержки.