|
1. Фотолюминесцентный излучатель, включающий электролюминесцентный диод из арсенида галлия, генерирующий первичное излучение в интервале длин волн 0,8-0,9 мкм, а также нанесенный на диэлектрическую подложку поликристаллический слой селенида свинца, поглощающий первичное излучение и вторично излучающий в интервале длин волн 2-5 мкм, отличающийся тем, что в селенид свинца совокупно введены добавка, направленно изменяющая положение длины волны максимума излучения, время нарастания и спада импульса излучения, и добавка, увеличивающая мощность излучения фотолюминесцентного излучателя. 2. Излучатель по п.1, отличающийся тем, что добавка, направленно изменяющая положение длины волны максимума излучения, время нарастания и спада импульса излучения, состоит из селенида кадмия в количестве 0,1-20 мол.%, а добавка, увеличивающая мощность излучения, состоят из висмута, хлора (йода) в количестве 0,005-0,05 ат.% и кислорода в количестве 0,01-0,1 ат.%, причем эти элементы введены в соотношении соответственно 1:1:2. 3. Полупроводниковый фотоэлемент, преобразующий излучение с длиной волны в интервале 0,5-5 мкм, включающий слой селенида свинца на диэлектрической подложке с сформированным в нем потенциальным барьером, отличающийся тем, что в качестве полупроводникового материала, преобразующего энергию излучения с длиной волны 0,5-5 мкм, применен селенид свинца с совокупно введенными добавкой, направленно изменяющей область спектральной чувствительности, значение длины волны максимума спектральной чувствительности, время нарастания и спада фото ЭДС, и добавкой, увеличивающей токовую чувствительность и фото ЭДС фотоэлемента. 4. Фотоэлемент по п.3, отличающийся тем, что добавка, направленно изменяющая область спектральной чувствительности, значение длины волны максимума спектральной чувствительности, время нарастания и спада фото ЭДС, состоит из селенида кадмия в количестве 0,1-20 мол.%, а добавка, увеличивающая токовую чувствительность и фото ЭДС, состоят из висмута, хлора (йода) в количестве 0,005-0,05 ат.% и кислорода в количестве 0,01-0,1 ат.%, причем эти элементы введены в соотношении 1:1:2. 5. Фотоэлемент по п.3 или 4, отличающийся тем, что селенид свинца с добавками применен в виде поликристаллического слоя, в котором потенциальный барьер сформирован в форме р-n перехода, причем область с р-типом проводимости получена за счет введения натрия, а область n-типа проводимости - за счет введения индия. 6. Фотоэлемент по п.5, отличающийся тем, что натрий введен в количестве 0,005-0,02 ат.%, а индий в количестве 0,01-0,1 ат.%, при этом концентрация индия более чем в 2 раза превышает концентрацию натрия. 7. Октрон, включающий инфракрасный излучатель и инфракрасные приемники излучения, отличающийся тем, что в качестве излучателя в нем применен фотолюминесцентный излучатель по п.1 или 2, а в качестве приемников излучения - полупроводниковые фотоэлемент по п.3, или 4, или 5, или 6. 8. Октрон по п.7, отличающийся тем, что концентрация добавки селенида кадмия в поликристаллическом слое фотолюминесцентного излучателя в 3,5-4,5 раза больше концентрации этой добавки в поликристаллическом слое полупроводникового фотоэлемента. 9. Октрон по п.7 или 8, отличающийся тем, что его открытый оптический канал выполнен с возможностью заполнения газообразным или жидким веществом. 10. Октрон по п.7, отличающийся тем, что фотолюминесцентный излучатель и/или полупроводниковый фотоэлемент снабжены узкополосными оптическими интерференционными фильтрами. 
|
