1. Устройство для выращивания монокристалла кремния из расплава, содержащее камеру с отверстиями для эвакуации газового потока, в которой размещены тигель для расплава, расположенный в подставке на штоке, верхний газонаправляющий экран, формирующий газовый поток над расплавом, и нагреватель, отличающееся тем, что устройство снабжено нижним газонаправляющим кольцевым экраном с центральным отверстием для перемещения подставки, установленным над нагревателем, отверстия для эвакуации газового потока выполнены в камере между верхним и нижним газонаправляющими экранами, а пространство между корпусом, нижним газонаправляющим кольцевым экраном, нагревателем и штоком заполнено засыпкой.
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что в качестве материала засыпки использован карбид кремния.
3. Устройство по п.1, отличающееся тем, что нагреватель выполнен секционным, при этом засыпка зафиксирована между секциями нагревателя при помощи уплотняющих вставок.
4. Устройство по п.1, отличающееся тем, что засыпка зафиксирована вокруг штока при помощи уплотняющего кольца.
5. Устройство по п.3, отличающееся тем, что в качестве материала уплотняющих вставок использован графитовый войлок.
