1. Устройство для выращивания монокристалла кремния из расплава, содержащее камеру с коаксиально размещенными в ней тиглем для расплава и цилиндрическим экраном, установленным на высоте h от уровня расплава, отличающееся тем, что газонаправляющий цилиндрический экран дополнительно снабжен газоразделительным кольцевым экраном с внутренним диаметром
к=(1,2÷1,4)·d,
где d - заданный диаметр монокристалла,
который размещен сверху газонаправляющего цилиндрического экрана соосно последнему, при этом газонаправляющий цилиндрический экран выполнен с диаметром, определяемым по формуле
ц=[(d2+D 2)/2]1/2,
где D - диаметр тигля;
и расположен на высоте h от уровня расплава в соответствии с формулой
h=[(D2-d 2)/8]ц.
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что в газоразделительном кольцевом экране выполнены окна с сетчатыми вставками.
к=(1,2÷1,4)·d,
