С использованием транзисторов с переменным порогом, например лавинно-инжекционного моп-транзистора с плавающим затвором (G11C16/04)

G11C Запоминающие устройства статического типа (накопление информации, основанное на относительном перемещении носителя записи и преобразователя G11B; полупроводниковые приборы для запоминающих устройств H01L, например H01L27/108-H01L27/115; импульсная техника вообще H03K, например электронные переключатели H03K17) (67)

G11C16 Программируемые постоянные запоминающие устройства со стираемой информацией (G11C14 имеет преимущество)(23)

G11C16/04 С использованием транзисторов с переменным порогом, например лавинно-инжекционного моп-транзистора с плавающим затвором(1)

Флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства // 78005

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности, к электрически перепрограммируемым постоянным запоминающим устройствам (ЭППЗУ), сохраняющим информацию при отключенном питании (быстрая или флэш-память), и может быть использовано в устройствах памяти вычислительных машин, микропроцессорах, флэш-памяти, в портативных электронных устройствах, таких как, цифровые видеокамеры и фотоаппараты, плееры, электронные карточки (смарт-карты).

2548950.