С использованием нескольких магнитных слоев (G11C11/15)

G Физика(16591)

G11 Накопление информации(166)

G11C Запоминающие устройства статического типа (накопление информации, основанное на относительном перемещении носителя записи и преобразователя G11B; полупроводниковые приборы для запоминающих устройств H01L, например H01L27/108-H01L27/115; импульсная техника вообще H03K, например электронные переключатели H03K17) (67)

G11C11 Цифровые запоминающие устройства, отличающиеся применением различных электрических или магнитных элементов памяти; элементы памяти для них (G11C14- G11C21 имеют преимущество)(7)

G11C11/15 С использованием нескольких магнитных слоев (G11C11/155 имеет преимущество)(1)

Спин-вентильная магниторезистивная наноструктура // 128764

Наверх