Добавлением по крайней мере одного, но не всех компонентов кристаллической композиции (C30B11/06)

C30 Выращивание кристаллов (разделение кристаллизацией вообще B01D9)(81)

C30B Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L); (81)

C30B11 Выращивание монокристаллов обычным замораживанием или замораживанием при температурном градиенте, например по методу бриджмена-стокбаргера (C30B13, C30B15,C30B17,C30B19 имеют преимущество; под защитной жидкостью C30B27)(6)

C30B11/06 Добавлением по крайней мере одного, но не всех компонентов кристаллической композиции(2)

Устройство для исследования гетерофазных равновесий и выращивания монокристаллов // 138742

Технический результат непрерывный визуальный контроль давления паров внутри замкнутого объема. .

Устройство для получения монокристаллов // 124264

2548789.